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1. (WO2007055739) APPAREIL DE PHOTODETECTION A GUIDE D'ONDES INTEGRE LATERALEMENT ET PROCEDES DE COUPLAGE ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055739    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020934
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 30.05.2006
CIB :
G02B 6/42 (2006.01), G02B 6/12 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US) (Tous Sauf US).
AHN, Donghwan [KR/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Jifeng [CN/US]; (US) (US Seulement).
MICHEL, Jurgen [DK/US]; (US) (US Seulement).
KIMERLING, Lionel, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AHN, Donghwan; (US).
LIU, Jifeng; (US).
MICHEL, Jurgen; (US).
KIMERLING, Lionel, C.; (US)
Mandataire : CURRIE, Matthew, T.; Goodwin Procter LLP, Exchange Place, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
11/269,907 08.11.2005 US
Titre (EN) LATERALLY-INTEGRATED WAVEGUIDE PHOTODETECTOR APPARATUS AND RELATED COUPLING METHODS
(FR) APPAREIL DE PHOTODETECTION A GUIDE D'ONDES INTEGRE LATERALEMENT ET PROCEDES DE COUPLAGE ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)High-speed optoelectronic devices having a waveguide densely integrated with and efficiently coupled to a photodetector are fabricated utilizing methods generally compatible with CMOS processing techniques . In various implementations, the waveguide consists essentially of single-crystal silicon and the photodetector contains epitaxially grown germanium or a silicon-germanium alloy having a germanium concentration exceeding about 90%. Efficient coupling between components in the integrated apparatus of the invention is facilitated by forming a photodetector in lateral alignment with the optical waveguide .
(FR)L'invention concerne des dispositifs optoélectroniques à grande vitesse comprenant un guide d'ondes à intégration dense et efficacement couplé à un photodétecteur, ces dispositifs étant réalisés selon des procédés généralement compatibles avec des technologies de traitement CMOS. Dans plusieurs modes de réalisation, le guide d'ondes est sensiblement du silicium monocristallin et le photodétecteur contient du germanium à croissance épitaxiale ou un alliage de silicium-germanium dont la concentration en germanium dépasse environ 90 %. Un couplage efficace entre des composants de l'appareil intégré est facilité par la réalisation d'un photodétecteur en alignement latéral avec le guide d'ondes optiques
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)