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1. (WO2007055738) APPAREIL DE PHOTODETECTION A GUIDE D'ONDES INTEGRE AVEC CONSTANTES DE PROPAGATION CORRESPONDANTES ET PROCEDES DE COUPLAGE ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055738    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020931
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 30.05.2006
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), H01L 31/0232 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US) (Tous Sauf US).
AHN, Donghwan [KR/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Jifeng [CN/US]; (US) (US Seulement).
MICHEL, Jurgen [DK/US]; (US) (US Seulement).
KIMERLING, Lionel, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AHN, Donghwan; (US).
LIU, Jifeng; (US).
MICHEL, Jurgen; (US).
KIMERLING, Lionel, C.; (US)
Mandataire : BELOBORODOV, Mark, L.; GOODWIN PROCTER LLP, Exchange Place, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
11/269,354 08.11.2005 US
Titre (EN) INTEGRATED WAVEGUIDE PHOTODETECTOR APPARATUS WITH MATCHING PROPAGATION CONSTANTS AND RELATED COUPLING METHODS
(FR) APPAREIL DE PHOTODETECTION A GUIDE D'ONDES INTEGRE AVEC CONSTANTES DE PROPAGATION CORRESPONDANTES ET PROCEDES DE COUPLAGE ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)High-speed optoelectronic devices having a waveguide densely integrated with and efficiently coupled to a photodetector are fabricated utilizing methods generally compatible with CMOS processing techniques. In various implementations, the waveguide consists essentially of single-crystal silicon and the photodetector contains, or consists essentially of, epitaxially grown germanium or a silicon-germanium alloy having a germanium concentration exceeding about 90%. Efficient evanescent coupling between components in the integrated apparatus is facilitated by forming the photodetector in lateral alignment with an optical waveguide and by matching propagation constants of the photodetector and the waveguide.
(FR)L'invention concerne des dispositifs optoélectroniques à grande vitesse comprenant un guide d'ondes à intégration dense et efficacement couplé à un photodétecteur, ces dispositifs étant réalisés selon des procédés généralement compatibles avec des technologies de traitement CMOS. Dans plusieurs modes de réalisation, le guide d'ondes est sensiblement du silicium monocristallin et le photodétecteur contient ou comporte essentiellement du germanium à croissance épitaxiale ou un alliage de silicium-germanium dont la concentration en germanium dépasse environ 90 %. Un couplage évanescent efficace entre des composants de l'appareil intégré est facilité par la réalisation du photodétecteur en alignement latéral avec un guide d'ondes optiques et par la mise en correspondance des constantes de propagation du photodétecteur et du guide d'ondes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)