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1. (WO2007055486) DEL DE TYPE A VUE LATERALE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055486    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/004447
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 30.10.2006
CIB :
H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/54 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : ALTI-ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 90-1 Bongmyeong-ri, Namsa-myeon, Cheoin-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 449-882 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Ik-Seong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Jin-Won [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
IN, Chi-Ok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Sun-Hong [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Ik-Seong; (KR).
LEE, Jin-Won; (KR).
IN, Chi-Ok; (KR).
KIM, Sun-Hong; (KR)
Mandataire : LEE, Kyeong-Ran; 502, BYC Bldg., 648-1 Yeoksam 1-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-081 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0106916 09.11.2005 KR
Titre (EN) LED OF SIDE VIEW TYPE AND THE METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DEL DE TYPE A VUE LATERALE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A side view type light emitting diode and a method of manufacturing the same are disclosed. A method including (a) providing lead frames which include a cathode terminal and an anode terminal; (b) forming a reflector which surrounds the lead frames, such that portions of the cathode terminal and anode terminal protrude from both sides, and which includes a groove open in the upward direction and a wall surrounding the groove; (c) die-attaching an LED chip onto the lead frames inside the groove; (d) bonding the LED chip to the cathode terminal or to the anode terminal with a conductive wire; (e) dispensing a liquid curable resin into the groove to form a lens part; and (f) sawing the walls facing each other using a sawing machine such that the thicknesses at the upper surfaces are 0.04 to 0.05 mm, provides a side view type light emitting diode in which the thicknesses of the walls of the reflector are made to be 0.04 to 0.05 mm, for an overall thickness of 0.5 mm or lower.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente de type à vue latérale et un procédé de fabrication de cette diode. Le procédé consiste (a) à utiliser des grilles de connexion comprenant une borne de cathode et une borne d'anode, (b) à former un réflecteur qui entoure les grilles de connexion de façon que des parties de la borne de cathode et de la borne d'anode fassent saillie à partir des deux côtés, et qui comprend une rainure ouverte vers le haut et une paroi entourant cette rainure, (c) à fixer une puce DEL sur les grilles de connexion à l'intérieur de la rainure, (d) à connecter la puce DEL à la borne de cathode ou à la borne d'anode au moyen d'un fil conducteur, (e) à distribuer une résine durcissable liquide dans la rainure en vue de la formation d'une partie lentille, et (f) à scier les parois se faisant face au moyen d'une machine à scier de façon que les épaisseurs au niveau des surfaces supérieures soient comprises entre 0,04 et 0,05 mm. Ce procédé permet d'obtenir une diode électroluminescente de type à vue latérale dans laquelle les épaisseurs des parois du réflecteur sont comprises entre 0,04 et 0,05 mm, pour une épaisseur totale inférieure ou égale à 0,5 mm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)