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1. (WO2007055422) NANOCIRCUIT D’INDIUM, NANOCIRCUIT D’OXYDE, NANOCIRCUIT D’OXYDE ÉLECTROCONDUCTEUR, ET LEUR PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055422    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322917
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 10.11.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.09.2007    
CIB :
B22F 1/00 (2006.01), B22F 9/30 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01), H01B 5/00 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716 (JP) (Tous Sauf US).
YUKINOBU, Masaya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YUKINOBU, Masaya; (JP)
Mandataire : OSHIDA, Yoshiteru; Ginza Bldg. 3-12, Ginza 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-326749 10.11.2005 JP
Titre (EN) INDIUM NANOWIRE, OXIDE NANOWIRE, ELECTROCONDUCTIVE OXIDE NANOWIRE, AND PRODUCTION PROCESS THEREOF
(FR) NANOCIRCUIT D’INDIUM, NANOCIRCUIT D’OXYDE, NANOCIRCUIT D’OXYDE ÉLECTROCONDUCTEUR, ET LEUR PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) インジウム系ナノワイヤ、酸化物ナノワイヤ及び導電性酸化物ナノワイヤ並びにそれらの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a process for producing an indium nanowire and an electroconductive oxide nanowire, which are applicable, for example, to electroconductive fillers and nanowiring of various transparent electroconductive films and are in the form of a wire having an average thickness of not more than 500 nm and a ratio of the average length to the average thickness (aspect ratio) of not less than 30, in a simple and cost-effective manner, and an indium nanowire and an electroconductive oxide nanowire produced by the process. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A process for producing an indium nanowire, characterized in that particles composed mainly of indium subhalide are disproportionately reacted in a nonaqueous solvent to produce a nanowire composed mainly of metallic indium. The electroconductive oxide nanowire can be produced by thermally oxidizing the above indium nanowire further doped with a doping metal, or by doping an indium oxide nanowire, produced from the indium nanowire, with an oxide of a doping metal.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’un nanocircuit d’indium et d’un nanocircuit d’oxyde électroconducteur, qui sont applicables, par exemple, à des charges et nanocircuits électroconducteurs de diverses pellicules transparentes électroconductrices et sont présentés sous la forme d’un circuit présentant une épaisseur moyenne inférieure ou égale à 500 nm et un rapport de la longueur moyenne sur l’épaisseur moyenne (rapport longueur/épaisseur) supérieur ou égal à 30, de façon simple et économique, et un nanocircuit d’indium et un nanocircuit d’oxyde électroconducteur produits par le procédé. Elle concerne un procédé de production d’un nanocircuit d’indium caractérisé en ce que des particules composées principalement de soushalogénure d’indium sont mises en réaction de manière disproportionnée dans un solvant non aqueux pour produire un nanocircuit composé principalement d'indium métallique. Le nanocircuit d’oxyde électroconducteur peut être produit en oxydant thermiquement le nanocircuit d’indium ci-dessus dopé en outre avec un métal dopant, ou en dopant un nanocircuit d'oxyde d'indium, produit à partir du nanocircuit d'indium, avec un oxyde d'un métal dopant.
(JA)【課題】各種透明導電膜の導電フィラーやナノ配線等に適用可能となる、平均太さが500nm以下で平均太さに対する平均長さの比(アスペクト比)が30以上のワイヤ形状を有するインジウム系ナノワイヤ及び導電性酸化物ナノワイヤを簡便かつ安価に製造する製造方法、および得られるインジウム系ナノワイヤ及び導電性酸化物ナノワイヤを提供する。【解決手段】本発明に係るインジウ厶系ナノワイヤの製造方法は、インジウムのサブハライドを主成分とする粒子を、非水系溶媒中で不均化反応させて金属インジウムを主成分とするナノワイヤを得ることを特徴とする。本発明の導電性酸化物ナノワイヤは、ドーピング金属が更にドープされた上記インジウム系ナノワイヤを加熱酸化処理するか、或いは、上記インジウム系ナノワイヤから得られる酸化インジウムナノワイヤにドーピング金属の酸化物をドープして得ることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)