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1. (WO2007055352) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055352    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322547
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 13.11.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.09.2007    
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC DEVICE TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 11-2, Osaki 1-chome, Sinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (Tous Sauf US).
NEMOTO, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NEMOTO, Michio; (JP)
Mandataire : SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES 20F, Kasumigaseki Building 2-5, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-329480 14.11.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Oxygen is introduced into an N- type wafer (10) to be an N- type first semiconductor layer, then, a P type second semiconductor layer (2) and an anode electrode (4) are formed on the front plane of the FZ wafer (10). The FZ wafer (10) is irradiated with protons from the side of the anode electrode (4), and crystal defects (12) are introduced into the FZ wafer (10). The net doping concentration at a part in the first semiconductor layer is permitted to be higher than the initial net doping concentration of the FZ wafer (10) by restoring the crystal defects (12) in the FZ wafer (10) by performing heat treatment, and a desired broad buffer structure is formed. Thus, a semiconductor device having high-speed, low-loss and soft switching characteristics is manufactured at a low cost with excellent controllability and high yield by using the FZ bulk wafer.
(FR)Selon cette invention, de l'oxygène est introduit dans une plaquette de type N - (10) afin que cette dernière devienne une première couche semi-conductrice de type N -. Ensuite, une deuxième couche semi-conductrice de type P (2) et une anode (4) sont formées sur la surface frontale de la plaquette à zone flottante (FZ) (10). La plaquette à zone flottante (10) est irradiée avec des protons provenant du côté de l'anode (4) et des défauts de cristaux (12) sont introduits dans la plaquette à zone flottante (10). La concentration de dopage net au niveau d'une partie dans la première couche semi-conductrice peut être plus élevée que la concentration de dopage net initiale de la plaquette à zone flottante (10) par réintroduction des défauts de cristaux (12) dans la plaquette à zone flottante (10) au moyen d'un traitement thermique, et une structure tampon large est formée. Ainsi, un dispositif à semi-conducteur présentant une vitesse élevée, de faibles pertes et des caractéristiques de commutation souples est fabriqué à faible coût avec une excellente capacité de commande et un grand rendement au moyen de la plaquette substrat à zone flottante.
(JA) N-型第1半導体層となるN-型FZウェハー(10)中に酸素を導入した後、FZウェハー(10)の表面にP型第2半導体層(2)およびアノード電極(4)を形成する。アノード電極(4)の側からFZウェハー(10)にプロトンを照射して、FZウェハー(10)中に結晶欠陥(12)を導入する。熱処理を行って、FZウェハー(10)中の結晶欠陥(12)を回復させることにより、第1半導体層内の一部のネットドーピング濃度をFZウェハー(10)の当初のネットドーピング濃度よりも高くし、所望のブロードバッファ構造を形成する。これによって、高速・低損失であり、かつソフトなスイッチング特性を有する半導体装置を、FZバルクウェハーを用いて安価に、かつ制御性および歩留まりよく作製することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)