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1. (WO2007055231) CIBLE DE PULVERISATION A BASE DE SnO2 ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055231    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322253
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 08.11.2006
CIB :
C04B 35/457 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584 (JP) (Tous Sauf US).
MORINAKA, Taizo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORINAKA, Taizo; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-324837 09.11.2005 JP
Titre (EN) SnO2 SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVERISATION A BASE DE SnO2 ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) SnO2系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a high-performance sputtering target having a high relative density which enables to form a sputtered film having both low resistivity and high transmittance at a high film-forming rate while preventing abnormal discharge and generation of particles. Specifically disclosed is a sputtering target which is produced by a process comprising a step wherein an unsintered molded body, which is mainly composed of SnO2 and also contains Nb2O5 and Ta2O5 in an amount of 1.15-10% by mass in total at a mass ratio Nb2O5/Ta2O5 of 0.15-0.90, is sintered at 1550-1650˚C.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation de haute performance ayant une densité relative élevée permettant de former un film pulvérisé ayant à la fois une faible résistivité et une transmittance élevée à un taux élevé de formation de film tout en empêchant une décharge anormale et une production de particules. La présente invention concerne plus spécifiquement une cible de pulvérisation produite au moyen d’un procédé comprenant une étape dans laquelle un corps moulé non-fritté, lequel étant composé principalement de SnO2 et contenant également Nb2O5 et Ta2O5 en une quantité de 1,15 à 10 % en masse au total avec un rapport en masse Nb2O5/Ta2O5 de 0,15 à 0,90, est fritté à une température de 1550 à 1650 °C.
(JA) 高い相対密度を有し、異常放電やパーティクルの発生を防止しながら、高い成膜速度で、低い比抵抗および高い透過率の両方を兼ね備えたスパッタ膜を形成することができる、高性能なスパッタターゲットの提供。  このスパッタリングターゲットは、SnOを主成分とし、NbおよびTaを合計量で1.15~10質量%含んでなり、Nb/Taの含有量質量比が0.15~0.90である、未焼結の成形体を1550~1650°Cで焼結することを含んでなる方法により製造される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)