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1. (WO2007055190) APPAREIL ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055190    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322155
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 07.11.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.09.2007    
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
MURAKI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOZAWA, Shigeki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ORII, Takehiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURAKI, Yusuke; (JP).
TOZAWA, Shigeki; (JP).
ORII, Takehiko; (JP)
Mandataire : HAGIWARA, Yasushi; Hazuki International Shinjuku Akebonobashi Building 1-12, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku Tokyo 1620065 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-323329 08.11.2005 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a substrate processing apparatus and substrate processing method wherein the temperature of a wafer can be effectively controlled even when the wafer is processed at a low pressure, while preventing adhesion of particles or damage to the wafer. Also disclosed is a recording medium used for such a substrate processing apparatus and substrate processing method. A substrate (W) is introduced into a process chamber (32) and the substrate (W) is placed on a stage (40) by bringing the lower surface of the substrate (W) into contact with a contact member (42) arranged on the upper surface of the stage (40) while forming a gap (G) between the substrate (W) and the stage (40). Then, while maintaining the process chamber (32) at a certain pressure, the temperature of the stage (40) is controlled, thereby controlling the temperature of the substrate (W). After that, the process chamber (32) is maintained at a pressure lower than the above-mentioned certain pressure, and the substrate (W) is subjected to a certain treatment.
(FR)La présente invention concerne un appareil et un procédé de traitement de substrat par lequel la température d’une plaquette peut être contrôlée de manière effective même lorsque la plaquette est traitée à faible pression, tout en évitant l’adhésion de particules ou l’endommagement à la plaquette. L’invention concerne aussi un support d’enregistrement utilisé pour un tel appareil et procédé de traitement de substrat. Un substrat (W) est introduit dans une chambre de traitement (32) et le substrat (W) est placé sur une estrade (40) en mettant en contact la surface inférieure du substrat (W) avec un membre de contact (42) placé sur la surface supérieure de l'estrade (40) tout en formant un écart (G) entre le substrat (W) et l'estrade (40). Ensuite, tout en maintenant la chambre de traitement (32) à une certaine pression, la température de l’estrade (40) est contrôlée, contrôlant ainsi la température du substrat (W). Après cela, la chambre de traitement (32) est maintenue à une pression inférieure à la pression certaine mentionnée ci-dessus et le substrat (W) est soumis à un certain traitement.
(JA)【課題】ウェハを低圧状態で処理する場合であっても、ウェハに対するパーティクルの付着や損傷の発生を防止しながら、ウェハの温度を効率的に調節できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。また、かかる基板処理装置及び基板処理方法に用いられる記録媒体を提供する。 【解決手段】基板Wを処理室32に搬入し、載置台40の上面に設けられた当接部材42に基板Wの下面を当接させ、基板Wと載置台40との間に隙間Gを形成した状態で、載置台40に基板Wを載置させる。そして、処理室32を所定の圧力にした状態で、載置台40の温度を調節することにより、基板Wの温度を調節する。その後、処理室32を所定の圧力より低い圧力の処理雰囲気にして、基板Wに所定の処理を施す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)