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1. (WO2007055121) STRUCTURE D'ÉLECTRODE, CONDENSATEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE D'ÉLECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055121    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/321626
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 30.10.2006
CIB :
H01G 9/04 (2006.01), H01G 9/00 (2006.01), H01G 9/055 (2006.01)
Déposants : TOYO ALUMINIUM KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 6-8, Kyutaro-machi 3-Chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410056 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Hidetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ASHITAKA, Zenya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Hidetoshi; (JP).
ASHITAKA, Zenya; (JP)
Mandataire : KODA, Kazuyuki; 208-B, Yao-minami Garden Terrace 84-2, Wakabayashi-cho 1-Chome Yao-shi, Osaka 5810038 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-326556 10.11.2005 JP
Titre (EN) ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRODE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE, CONDENSATEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE D'ÉLECTRODE
(JA) 電極構造体、コンデンサおよび電極構造体の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an electrode structure which is excellent in adhesion between a base aluminum material and a dielectric layer. This electrode structure maintains a desired withstand voltage and enables to obtain a high capacitance. Also disclosed are a method for producing such an electrode structure and a capacitor comprising such an electrode structure. Specifically disclosed is an electrode structure comprising an aluminum material, a dielectric layer formed on the surface of the aluminum material and containing a valve metal, and an intervening layer formed between the aluminum material and the dielectric layer and containing aluminum and carbon. Also specifically disclosed is a method for producing an electrode structure comprising a step for forming a dielectric precursor layer containing a valve metal on the surface of an aluminum material, a step for placing the aluminum material provided with the dielectric precursor layer in a space containing a hydrocarbon-containing substance, and a step for heating the aluminum material provided with the dielectric precursor layer in the space containing a hydrocarbon-containing substance.
(FR)La présente invention concerne une structure d'électrode dont l'adhésion entre un matériau de base en aluminium et une couche diélectrique est excellente. Cette structure d'électrode permet de maintenir une tension de tenue désirée et permet d'obtenir une capacité élevée. L'invention concerne également un procédé de production d'une telle structure d'électrode et un condensateur comprenant une telle structure d'électrode. Elle concerne spécifiquement une structure d'électrode comprenant un matériau en aluminium, une couche diélectrique disposée sur la surface du matériau d'aluminium et contenant un métal valve, et une couche d'intervention disposée entre le matériau en aluminium et la couche diélectrique et contenant de l'aluminium et du carbone. Elle concerne également spécifiquement un procédé de production d'une structure d'électrode comprenant une étape consistant à créer une couche diélectrique précurseur contenant un métal valve sur la surface d'un matériau en aluminium, une étape consistant à placer le matériau en aluminium comportant la couche diélectrique précurseur dans un espace contenant une substance contenant un hydrocarbure, et une étape consistant à chauffer le matériau en aluminium comportant la couche diélectrique précurseur dans l'espace contenant une substance contenant un hydrocarbure.
(JA) 基材であるアルミニウム材と誘電体層との密着性に優れ、所望の耐電圧を維持するとともに、高い静電容量が得られる電極構造体とその製造方法、その電極構造体を備えたコンデンサを提供する。電極構造体は、アルミニウム材と、このアルミニウム材の表面上に形成されたバルブ金属を含む誘電体層と、アルミニウム材と誘電体層との間に形成された、アルミニウムと炭素を含む介在層とを備える。電極構造体の製造方法は、バルブ金属を含む誘電体前駆物質をアルミニウム材の表面上に形成する工程と、炭化水素含有物質を含む空間に誘電体前駆物質が形成されたアルミニウム材を配置する工程と、炭化水素含有物質を含む空間に誘電体前駆物質が形成されたアルミニウム材を配置した状態で加熱する工程とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)