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1. (WO2007055030) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM AU MOYEN D'UN APPAREIL CVD ET D'UN MASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055030    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020866
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 14.11.2005
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01), H01J 11/02 (2006.01)
Déposants : FUJITSU HITACHI PLASMA DISPLAY LIMITED [JP/JP]; 1815 Tajiri, Kunitomi-cho, Higashimorokata-gun, Miyazaki 8801194 (JP) (Tous Sauf US).
NANTO, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NANTO, Toshiyuki; (JP)
Mandataire : KUBO, Yukio; Oriental Shin-Osaka Bldg., 1-26, Nishinakajima 7-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF FORMING FILM WITH USE OF CVD APPARATUS AND MASK FOR MASKING
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM AU MOYEN D'UN APPAREIL CVD ET D'UN MASQUE
(JA) CVD装置を用いる成膜方法およびマスキングのためのマスク
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a film, comprising partially masking a surface of substance (111) and carrying out a film formation at exposed area (S1) of the surface with the use of parallel flat plate type plasma CVD apparatus (300), wherein as a member for masking, use is made of platy mask (71,71b,71c,71d,77,77b) furnished with projection (715,716,775) capable of inducing discharge on the side toward plasma generation space. By virtue of the furnishing of the projection, the occurrence of abnormal discharge at mask edges is minimized, reducing any local increase of film thickness in the vicinity of the mask.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film consistant à masquer partiellement une surface d'une substance (111) et à réaliser une formation de film au niveau d'une zone exposée (S1) de la surface au moyen d'un appareil CVD à plasma de type à plaque plane parallèle (300), un masque lamellaire (71, 71b, 71c, 71d, 77, 77b) pourvu d'une protubérance (715, 716, 775) d'induction de décharge sur l'espace de génération de plasma latéral étant utilisé en tant qu'élément de masquage. La présence de la protubérance permet de minimiser l'occurrence d'une décharge anormale au niveau des bords du masque, ce qui permet de réduire toute augmentation locale d'épaisseur de film dans le voisinage du masque.
(JA) 成膜方法は、物体(111)の表面を部分的にマスキングし、表面の露出部分(S1)に平行平板型のプラズマCVD装置(300)によって膜を形成する成膜方法であって、マスキングのための部材として、プラズマ発生空間に向く側に放電を誘発する突起(715,716,775)が形成された板状のマスク(71,71b,71c,71d,77,77b)を用いる。マスク端縁での異常放電の発生が突起の形成によって減少し、マスク近傍での局部的な膜厚増大が軽減される。                                                                                 
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)