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1. (WO2007055006) FERMETURE ELECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/055006    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020567
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 10.11.2005
CIB :
H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : TOTO LTD. [JP/JP]; 1-1, Nakashima 2-chome, Kokurakita-ku, Kitakyusyu-shi, Fukuoka 8028601 (JP) (Tous Sauf US).
MIYAJI, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKAMOTO, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITABAYASHI, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYAJI, Jun; (JP).
OKAMOTO, Osamu; (JP).
KITABAYASHI, Tetsuo; (JP)
Mandataire : KOYAMA, Yuu; Shuwa Kioicho TBR Bldg. Suite 922 5-7, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTROSTATIC ZIPPER
(FR) FERMETURE ELECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide an electrostatic zipper that can maintain a smooth surface even after exposure to plasma and consequently can suppress the contamination of an object to be adsorbed such as a silicon wafer with particles and is also excellent in adsorption and separation properties of the object. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] An electrostatic zipper characterized by comprising a dielectric material for an electrostatic zipper characterized by comprising not less than 99.4% by weight of alumina and more than 0.2% by weight and not more than 0.6% by weight of titanium oxide and having an average particle diameter of a sinter of not more than 2 μm and a volume resistivity at room temperature of 108 to 1011 Ωcm, the electrostatic zipper being used at a low temperature of 100ºC or below.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à proposer une fermeture électrostatique pouvant conserver une surface douce même après exposition au plasma et par conséquent peut supprimer la contamination d'un objet à adsorber telle qu’une galette de silicium avec des particules et est également excellente en termes de propriétés d'adsorption et de séparation de l'objet. La solution proposée est une fermeture électrostatique caractérisée en ce qu’elle comprend un matériau diélectrique pour une fermeture électrostatique caractérisé en ce qu’il comprend pas moins de 99,4 % en poids d’alumine et plus de 0,2 % en poids et pas plus de 0,6 % en poids d’oxyde de titane et en ce qu’il a un diamètre moyen de particules de frittage n’excédant pas 2 μm et une résistivité volumique à la température ambiante de 108 à 1011 Ωcm, la fermeture électrostatique étant utilisée à une faible température inférieure ou égale à 100 °C.
(JA)【課題】 本発明の課題は、プラズマにさらされた後も平滑な面が維持できその結果、シリコンウェハ等の被吸着物に対するパーティクル汚染を抑制でき、かつ被吸着体の吸着、離脱特性の優れた静電チャックを提供することである。  【解決手段】 本発明では、アルミナが99.4wt%以上、酸化チタンが0.2wt%より大きく0.6wt%以下、焼成体平均粒子径が2μm以下かつ体積抵抗率が室温において10~1011Ωcmであることを特徴とする静電チャック用誘電体を備え、100°C以下の低温で使用されることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)