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1. (WO2007054870) DISPOSITIF CONDENSATEUR A TRANCHEE POUR APPLICATIONS DE DECOUPLAGE DANS UNE OPERATION HAUTE FREQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/054870    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/054102
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 03.11.2006
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
MATTERS-KAMMERER, Marion [DE/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : MATTERS-KAMMERER, Marion; (NL)
Mandataire : PENNINGS, Johannes, F., M.; c/o Professor Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
05110471.9 08.11.2005 EP
Titre (EN) TRENCH CAPACITOR DEVICE SUITABLE FOR DECOUPLING APPLICATIONS IN HIGH-FREQUENCY OPERATION
(FR) DISPOSITIF CONDENSATEUR A TRANCHEE POUR APPLICATIONS DE DECOUPLAGE DANS UNE OPERATION HAUTE FREQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a capacitor device (500), an electronic circuit comprising a capacitor device, to an electronic component, and to a method of forming a capacitor device. In the capacitor device of the invention, a current-path region (530) extends from one of two trench capacitor electrodes to a respective contact structure (520). The current-path region of the capacitor device of the invention is obtainable by thinning the substrate from an original substrate thickness down to reduced substrate thickness either in a lateral substrate portion containing the capacitor region or over the complete lateral extension of the substrate before forming the first and second contact structures. The capacitor device of the invention has the advantage of exhibiting a reduced impedance in the current-path region. This reduced impedance implies a low self- inductance and self-resistance that is caused by the current-path region of the capacitor device. The low self-inductance provides an improved signal suppression over a broadened spectral range in a circuit configuration that employs the capacitor device of the invention as a bypass capacitor between a signal line and ground potential.
(FR)La présente invention concerne un dispositif condensateur (500), un circuit électronique comprenant un dispositif condensateur, un composant électronique et un procédé destiné à former un dispositif condensateur. Dans le dispositif condensateur de l'invention, une zone de passage de courant (530) s'étend entre une ou deux électrodes de condensateur à tranchée et une structure de contact (520) respective. La zone de passage de courant du dispositif condensateur de l'invention peut être obtenue par amincissement du substrat entre une épaisseur de substrat de départ et une épaisseur de substrat réduite dans une partie de substrat latérale contenant la zone de condensateur ou sur l'extension latérale complète du substrat avant la formation des première et seconde structures de contact. Le dispositif condensateur de l'invention se caractérise avantageusement en ce qu'il présente une impédance réduite dans la zone de passage de courant. Cette impédance réduite implique la production d'une faible valeur d'inductance propre et de résistance propre par la zone de passage de courant du dispositif condensateur. La faible inductance propre permet d'obtenir une suppression de signal améliorée sur un domaine spectral élargi dans une configuration de circuit faisant appel au dispositif condensateur de l'invention comme condensateur de dérivation entre une ligne de signal et un potentiel de terre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)