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1. (WO2007054869) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLURALITE DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS ET D'UN SUBSTRAT PORTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/054869    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/054093
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 03.11.2006
CIB :
H01L 21/77 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
DEKKER, Ronald [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VERHEIJDEN, Greja, J., A., M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MICHIELSEN, Theodorus, M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VAN DER POEL, Carolus, J. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MUTSAERS, Cornelis, A., H., A. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : DEKKER, Ronald; (NL).
VERHEIJDEN, Greja, J., A., M.; (NL).
MICHIELSEN, Theodorus, M.; (NL).
VAN DER POEL, Carolus, J.; (NL).
MUTSAERS, Cornelis, A., H., A.; (NL)
Mandataire : ROLFES, Johannes, G., A.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
05110650.8 11.11.2005 EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND CARRIER SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLURALITE DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS ET D'UN SUBSTRAT PORTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Individual devices (100) are locally attached to a carrier substrate (10), so that they can be removed therefrom individually. This is achieved through the use of a patterned release layer, particularly a layer that is removable through decomposition into gaseous or vaporized decomposition products. The mechanical connection between the carrier substrate (10) and the individual devices (100) is provided by a bridging portion (43) of an adhesion layer (40).
(FR)L'invention concerne des composants individuels (100) qui sont fixés localement à un substrat porteur (10) de telle sorte qu'ils puissent être retirés individuellement de celui-ci. Ceci est obtenu grâce à l'utilisation d'une couche de libération formée en motifs, en particulier une couche qui peut être retirée par l'intermédiaire d'une décomposition dans des produits de décomposition gazeux ou vaporisés. La connexion mécanique entre le substrat porteur (10) et les composants individuels (100) est assurée par une partie de pontage (43) d'une couche d'adhérence (40).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)