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1. (WO2007054427) SOUS-COLLECTEUR ENTERRÉ POUR DISPOSITIFS PASSIFS À SUPER-HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/054427    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/067693
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 24.10.2006
CIB :
H01L 21/8249 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
RASSEL, Robert, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
COOLBAUGH, Douglas, Duane [US/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Xuefeng [CN/US]; (US) (US Seulement).
SHERIDAN, David, Charles [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RASSEL, Robert, Mark; (US).
COOLBAUGH, Douglas, Duane; (US).
LIU, Xuefeng; (US).
SHERIDAN, David, Charles; (US)
Mandataire : LING, Christopher, John; IBM United Kingdom Limited, Intellectual Property Law, Hursley Park, Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
11/164,108 10.11.2005 US
Titre (EN) BURIED SUBCOLLECTOR FOR SUPER HIGH FREQUENCY PASSIVE DEVICES
(FR) SOUS-COLLECTEUR ENTERRÉ POUR DISPOSITIFS PASSIFS À SUPER-HAUTE FRÉQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a buried subcollector (56) in which the buried subcollector is implanted to a depth in which during subsequent epi growth the buried subcollector remains substantially below the fictitious interface between the epi layer (60) and the substrate (50) is provided. In particular, the inventive method forms a buried subcollector having an upper surface (58) (i.e. junction) that is located at a depth from about 3000 Å; (300 nm) or greater from the upper surface (51) of the semiconductor substrate. This deep buried subcollector having an upper surface that is located at a depth from about 3000 Å; (300 nm) or greater from the upper surface of the substrate is formed using a reduced implant energy (as compared to a standard deep implanted subcollector process) at a relative high dose.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un sous-collecteur enterré (56) selon lequel le sous-collecteur enterré est implanté à une profondeur à laquelle pendant la croissance épitaxiale ultérieure le sous-collecteur enterré reste sensiblement sous l’interface fictive entre la couche épitaxiale (60) et le substrat (50). En particulier, le procédé selon l'invention forme un sous-collecteur enterré comportant une surface supérieure (58) (c.-à-d. une jonction) qui est située à une profondeur d’environ 3000 Å (300 nm) ou plus de la surface supérieure (51) du substrat semi-conducteur. Ce sous-collecteur profondément enterré comportant une surface supérieur qui est située à une profondeur d'environ 3000 Å (300 nm) ou plus de la surface supérieure du substrat est obtenu en utilisant une énergie d'implantation réduite (par rapport au processus standard de sous-collecteur profondément implanté) à une dose relativement élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)