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1. (WO2007054405) CONTRAINTE DE CISAILLEMENT ROTATIONNELLE POUR LA MODIFICATION DE LA MOBILITÉ DE PORTEURS DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/054405    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/066992
Date de publication : 18.05.2007 Date de dépôt international : 03.10.2006
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
CHIDAMBARRAO, Dureseti [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHIDAMBARRAO, Dureseti; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited, Intellectual Property Law, Hursley Park, Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
11/164,179 14.11.2005 US
Titre (EN) ROTATIONAL SHEAR STRESS FOR CHARGE CARRIER MOBILITY MODIFICATION
(FR) CONTRAINTE DE CISAILLEMENT ROTATIONNELLE POUR LA MODIFICATION DE LA MOBILITÉ DE PORTEURS DE CHARGE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure and its method of fabrication utilize a semiconductor substrate having an active region (11) mesa surrounded by an isolation trench. A first isolation region (12) having a first stress is located in the isolation trench. A second isolation region (16a, 16b) having a second stress different than the first stress is also located in the isolation trench. The first isolation region and the second isolation region are sized and positioned to rotationally shear stress the active region mesa.
(FR)La structure semi-conductrice selon l’invention et son procédé de fabrication utilisent un substrat semi-conducteur comportant une mesa de zone active (11) entourée par une souille d’isolation. Une première zone d’isolation (12) présentant une première contrainte est située dans la souille d’isolation. Une seconde zone d’isolation (16a, 16b) présentant une seconde contrainte différente de la première contrainte est également située dans la souille d’isolation. La taille et la position de la première zone d’isolation et de la seconde zone d’isolation sont calculées de façon à exercer une contrainte de cisaillement rotationnelle sur la mesa de zone active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)