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1. (WO2007053479) STRUCTURE DE PLAGES DE CONTACT POUR PUCE RETOURNEE A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/053479    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/042124
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 27.10.2006
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, California 90245 (US) (Tous Sauf US).
SCHOFIELD, Hazel D. [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
SKOCKI, Slawomir [PL/IT]; (IT) (US Seulement).
ADAMSON, Philip [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : SCHOFIELD, Hazel D.; (GB).
SKOCKI, Slawomir; (IT).
ADAMSON, Philip; (GB)
Mandataire : DUJMICH, Louis, C.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, New York 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/731,361 28.10.2005 US
60/773,988 16.02.2006 US
11/586,902 26.10.2006 US
Titre (EN) CONTACT PAD STRUCTURE FOR FLIP CHIP SEMICONDUCTOR DIE
(FR) STRUCTURE DE PLAGES DE CONTACT POUR PUCE RETOURNEE A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A flip chip Schottky die is provided, which includes three contact bumps extending from a top surface of the die for electrically connecting with a board, a first and second bump being cathode contacts, and a third bump being an anode contact and having a larger surface than each of the first and second bumps for a 0.5 ampere device. Each bump is substantially rectangular at its base, but may have a curved or arched top surface on a square die. Also, provided is a contact bump useful in a flip chip device, such as a MOSFET or diode for a current of 1.0 amperes that includes a solder body of PbSn or a solder body free of lead comprising SnAgCu. Such a contact bump is substantially rectangular, and a height of approximately 120µm.
(FR)L'invention concerne une puce retournée de Schottky, comprenant trois bossages de contact s'étendant à partir d'une surface supérieure de la puce en vue d'une connexion électrique à une carte, un premier et un deuxième bossages étant des contacts de cathode et un troisième bossage étant un contact d'anode et présentant une surface plus importante que chacun des premier et deuxième bossages pour un dispositif à 0,5 ampère. Chaque bossage est sensiblement rectangulaire à sa base, mais peut présenter une surface supérieure incurvée ou arquée sur une puce carrée. Un autre bossage de contact est agencé, utile pour un dispositif à puce retournée, tel qu'un MOSFET ou une diode pour un courant de 1,0 ampère, comprenant un corps de soudure en PbSn ou un corps de soudure sans plomb contenant du SnAgCu. Ce bossage de contact est sensiblement rectangulaire et présente une hauteur d'environ 120 µm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)