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1. (WO2007053376) PROCEDE ET APPAREIL DE CONCEPTION ET UTILISATION DE MICRO-CIBLES EN METROLOGIE DE SUPERPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/053376    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/041514
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 23.10.2006
CIB :
G06F 17/50 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; One Technology Drive, Milpitas, California 95035 (US) (Tous Sauf US).
LEVINSKI, Vladimir [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
ADEL, Michael, E. [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
FROMMER, Aviv [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
KANDEL, Daniel [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : LEVINSKI, Vladimir; (IL).
ADEL, Michael, E.; (IL).
FROMMER, Aviv; (IL).
KANDEL, Daniel; (IL)
Mandataire : OLYNICK, Mary, R.; BEYER WEAVER & THOMAS, LLP, P. O. Box 70250, Oakland, California 94612 (US)
Données relatives à la priorité :
60/732,433 31.10.2005 US
11/329,716 10.01.2006 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR DESIGNING AND USING MICRO-TARGETS IN OVERLAY METROLOGY
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE CONCEPTION ET UTILISATION DE MICRO-CIBLES EN METROLOGIE DE SUPERPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus for fabricating a semiconductor die including several target structures. A first layer is formed that includes one or more line or trench structures that extend in a first direction (310). A second layer is formed that includes one or more line or trench structures that extend in a second direction that is perpendicular to the first structure, such that a projection of the target structure along the first direction is independent of the second direction and a projection of the target structure along the second direction is independent of the first direction (320). A target structure and a method for generating a calibration curve are also described.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une puce de semi-conducteur comprenant plusieurs structures cibles. A cet effet on forme une première couche comprenant une ou plusieurs structures de lignes ou de sillons s'étendant dans une première direction. Puis on forme une deuxième couche comprenant une ou plusieurs structures de lignes ou de sillons s'étendant dans une deuxième direction perpendiculaire à la première de manière à ce que la projection de la structure cible dans la première direction soit indépendante de la deuxième direction et que la projection de la structure cible dans la deuxième direction soit indépendante de la première direction. L'invention porte également sur une structure de cible et un procédé de création d'une courbe d'étalonnage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)