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1. (WO2007053340) DETECTEURS DE COURANT DE JONCTION A EFFET DE TUNNEL MAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/053340    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/041147
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 20.10.2006
CIB :
G11C 11/00 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
CHUNG, Young Sir [KR/US]; (US) (US Seulement).
BAIRD, Robert W. [US/US]; (US) (US Seulement).
DURLAM, Mark A. [US/US]; (US) (US Seulement).
GRYNKEWICH, Gregory W. [US/US]; (US) (US Seulement).
SALTER, Eric J. [US/US]; (US) (US Seulement).
ZUO, Jiang-Kai [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHUNG, Young Sir; (US).
BAIRD, Robert W.; (US).
DURLAM, Mark A.; (US).
GRYNKEWICH, Gregory W.; (US).
SALTER, Eric J.; (US).
ZUO, Jiang-Kai; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/262,053 28.10.2005 US
Titre (EN) MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CURRENT SENSORS
(FR) DETECTEURS DE COURANT DE JONCTION A EFFET DE TUNNEL MAGNETIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit device (600) is provided which includes an active circuit component (604, 804) and a current sensor (602, 802). The active circuit component (604, 804) may be coupled between a first conductive layer (206) and a second conductive layer (210), and is configured to produce a first current. The current sensor (602, 802) is disposed over the active circuit component. The current sensor (602, 802) may comprise a Magnetic Tunnel Junction ('MTJ') core disposed between the first conductive layer (206) and the second conductive layer (210). The MTJ core is configured to sense the first current and produce a second current based on the first current sensed at the MTJ core.
(FR)Cette invention concerne un dispositif à circuit intégré comprenant un composant de circuit actif (604, 804) et un détecteur de courant (602, 802). Le composant de circuit actif (604, 804) peut être couplé entre une première couche conductrice (206) et une second couche conductrice (210) et est conçu pou produire un premier courant. Le détecteur de courant (602, 802) est disposé sur le composant de circuit actif et peut comporter un noyau de jonction à effet de tunnel magnétique ('MTJ') disposé entre les première (206) et seconde (210) couches conductrices. Le noyau de jonction à effet de tunnel magnétique est conçu pour détecter le premier courant et produire un second courant en fonction du premier courant détecté au niveau du noyau MTJ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)