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1. (WO2007053339) PROCEDE POUR FORMER UNE STRUCTURE A SEMI-CONDUCTEURS ET SA STRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/053339    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/041146
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 20.10.2006
CIB :
H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
THEAN, Voon-Yew [SG/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Jian [CN/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Bich-Yen [US/US]; (US) (US Seulement).
SADAKA, Mariam G. [LB/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Da [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : THEAN, Voon-Yew; (US).
CHEN, Jian; (US).
NGUYEN, Bich-Yen; (US).
SADAKA, Mariam G.; (US).
ZHANG, Da; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/263,120 31.10.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCEDE POUR FORMER UNE STRUCTURE A SEMI-CONDUCTEURS ET SA STRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)Forming a semiconductor structure includes providing a substrate (10) having a strained semiconductor layer (14) overlying an insulating layer (12), providing a first device region (18) for forming a first plurality of devices having a first conductivity type, providing a second device region (20) for forming a second plurality of devices having a second conductivity type, and thickening the strained semiconductor layer in the second device region so that the strained semiconductor layer in the second device region has less strain that the strained semiconductor layer in the first device region. Alternatively, forming a semiconductor structure includes providing a first region (18) having a first conductivity type, forming an insulating layer (34) overlying at least an active area (32) of the first region, anisotropically etching the insulating layer, and after anisotropically etching the insulating layer, deposing a gate electrode material (46) overlying at least a portion of the insulating layer.
(FR)La présente invention concerne la formation d'une structure à semi-conducteurs qui comprend la fourniture d'un substrat (10) ayant une couche à semi-conducteurs sous contrainte (14) recouvrant une couche isolante (12), la fourniture une première région de dispositif (18) pour former une première pluralité de dispositifs ayant un premier type de conductivité, la fourniture d'une seconde région de dispositif (20) pour former une seconde pluralité de dispositifs ayant un second type de conductivité, et l'épaississement de la couche à semi-conducteurs sous contrainte dans la seconde région de dispositif de sorte que la couche à semi-conducteurs sous contrainte dans la seconde région de dispositif subisse moins de contrainte que la couche à semi-conducteurs sous contrainte dans la première région de dispositif. Sinon, la formation d'une structure à semi-conducteurs comprend la fourniture d'une première région (18) ayant un premier type de conductivité, la formation d'une couche isolante (34) recouvrant au moins une zone active (32) de la première région, le décapage de manière anisotrope de la couche isolante, puis le dépôt d'un matériau d'électrode de grille (46) recouvrant au moins une partie de la couche isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)