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1. (WO2007053303) MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE N POUR TRANSISTORS A COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/053303    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/040750
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 16.10.2006
CIB :
H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street, Rochester, New York 14650-2201 (US) (Tous Sauf US).
SHUKLA, Deepak [IN/US]; (US) (US Seulement).
FREEMAN, Diane, Carol [US/US]; (US) (US Seulement).
NELSON, Shelby, Forrester [US/US]; (US) (US Seulement).
CAREY, Jeffrey, Todd [US/US]; (US) (US Seulement).
AHEARN, Wendy, G. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHUKLA, Deepak; (US).
FREEMAN, Diane, Carol; (US).
NELSON, Shelby, Forrester; (US).
CAREY, Jeffrey, Todd; (US).
AHEARN, Wendy, G.; (US)
Représentant
commun :
EASTMAN KODAK COMPANY; 343 State Street, Rochester, New York 14650-2201 (US)
Données relatives à la priorité :
11/263,111 31.10.2005 US
Titre (EN) N-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR THIN FILM TRANSISTORS
(FR) MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE N POUR TRANSISTORS A COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, an aromatic moiety, at least one of which moieties is substituted with at least one electron donating group. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100°C.
(FR)La présente invention concerne un transistor à couche mince comprenant une couche de matériau semi-conducteur organique comprenant un composé à base de tétracarboxyldiimidenaphtalène, un fragment aromatique lié à chacun des atomes d'azote de l'imide, au moins un des fragments étant substitué par au moins un groupe donneur d’électrons. De tels transistors peuvent en outre comprendre des premier et second moyens de contact ou électrodes espacés l’un de l’autre en contact avec ledit matériau. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un dispositif de transistor à couche mince organique, de préférence par dépôt par sublimation sur un substrat, la température du substrat n’excédant pas 100 °C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)