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1. (WO2007052862) COMPOSITION DE PATE DE POLISSAGE CHIMIQUE MECANIQUE POUR LE POLISSAGE D’UN FILM DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/052862    N° de la demande internationale :    PCT/KR2005/004560
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 27.12.2005
CIB :
C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : CHEIL INDUSTRIES INC. [KR/KR]; 290, Gongdan 2-dong, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-710 (KR) (Tous Sauf US).
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416 Maedan-dong, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-370 (KR) (Tous Sauf US).
CHOUNG, Jae Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, In Kyung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHOI, Won Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Tae Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YANG, Ji Chul [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHOUNG, Jae Hoon; (KR).
LEE, In Kyung; (KR).
CHOI, Won Young; (KR).
LEE, Tae Young; (KR).
YANG, Ji Chul; (KR)
Mandataire : PARK, Yong Soon; 2nd Floor, Sangwon Bldg., 636-15 Yeoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-908 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0105280 04.11.2005 KR
Titre (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION FOR POLISHING POLYCRYSTALLINE SILICON FILM AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
(FR) COMPOSITION DE PATE DE POLISSAGE CHIMIQUE MECANIQUE POUR LE POLISSAGE D’UN FILM DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein are a chemical mechanical polishing (CMP) slurry for polishing a polycrystalline silicon film and a method for producing the slurry. The CMP slurry comprises a blend of metal oxide abrasive particles in ultrapurewater and additives, including a non-ionic fluorine type surfactant and a quaternary ammonium base. The CMP slurry can provide a CMP slurry composition that has superior within-wafer-non-uniformity and improved selectivity and solves the problem of dishing.
(FR)L’invention concerne une pâte de polissage chimique mécanique (PCM) destinée au polissage d’un film de silicium polycristallin, ainsi qu’un procédé de fabrication de ladite pâte. La pâte de PCM comprend un mélange de particules abrasives d’oxyde métallique dans de l’eau ultrapure et des additifs, y compris un tensioactif de type fluor non ionique et une base ammonium quaternaire. La pâte de PCM présente une composition ayant une non uniformité de pastilles supérieure, ainsi qu’une meilleure sélectivité, et permettant de résoudre le problème du bombage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)