WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007052840) DIODE ELECTROLUMINESCENTE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/052840    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322414
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 02.11.2006
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (Tous Sauf US).
UDAGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UDAGAWA, Takashi; (JP)
Mandataire : FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg., 6-13, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-322349 07.11.2005 JP
2005-331481 16.11.2005 JP
60/737,377 17.11.2005 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light-emitting diode 20 is provided with a silicon single crystal substrate 201, an intervening layer 203 formed of a Group III nitride semiconductor and stacked on the silicon single crystal substrate 201, and a light-emitting part (205, 206, 207) formed with a p-n-junction hetero-junction structure and stacked on the intervening layer 203. The intervening layer 203 is formed of an aluminum-containing Group III nitride semiconductor. The intervening layer 203 and the light-emitting part (205, 206, 207) have interposed therebetween a superlattice structure 204 formed of a plurality of Group III nitride semiconductor layers that contain aluminum and have mutually different aluminum composition ratios. A DBR film formed of the superlattice structure 204 is enabled to excel in reflectance and enhance the light-emitting property.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente semi-conductrice (20) dotée d’un substrat en silicium monocristallin (201), d’une couche d’interposition (203) formée d’un semi-conducteur en nitrure du Groupe III et empilé sur ledit substrat (201), et d’une partie électroluminescente (205, 206, 207) formée avec une structure d’hétérojonction à jonction p-n et empilée sur la couche d’interposition (203). Cette dernière (203) est formée d’un semi-conducteur en nitrure du Groupe III contenant de l’aluminium. La couche d’interposition (203) et la partie électroluminescente (205, 206, 207) comportent, intercalée entre elles, une structure de super-réseau (204) formée d’une pluralité de couches de semi-conducteurs en nitrure du Groupe III qui contiennent de l’aluminium et présentent des rapports de composition en aluminium mutuellement différents. Un film DBR formé de ladite structure (204) peut présenter une excellente réflectance et améliorer la propriété d’émission de lumière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)