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1. (WO2007052800) CAPTEUR DE PRESSION A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/052800    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322127
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 07.11.2006
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
IGAKI, Masaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIKATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IGAKI, Masaru; (JP).
SHIKATA, Hideaki; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-322752 07.11.2005 JP
2006-210149 01.08.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体圧力センサ
Abrégé : front page image
(EN)It is possible to provide a low-cost semiconductor pressure sensor of a simple structure capable of easily controlling, for example, the thickness of its diaphragm portion, and having a high yield, a low dependence on temperature, and a high sensitivity. The semiconductor pressure sensor comprises a Schottky barrier diode (10) consisting of a barrier film (1), an electrode film (2), and an n-type semiconductor substrate (3), and a base (4). In the Schottky barrier diode (10), the barrier film (1) formed of a metal is brought into contact with the n-type semiconductor substrate (3), so that a depletion layer is formed in the contact area on the side of the n-type semiconductor substrate (3) and a Schottky barrier is generated. This Schottky junction portion is included in the diaphragm portion (5) in the n-type semiconductor substrate (3) and functions as a pressure sensing area.
(FR)La présente invention permet de fournir un capteur de pression à semi-conducteurs à faible coût de structure simple, capable de contrôler aisément, par exemple, l'épaisseur de sa partie de diaphragme, et ayant une forte protection, une faible dépendance à la température et une forte sensibilité. Le capteur de pression à semi-conducteurs comprend une diode isolante de Schottky (10) composée d'un film isolant (1), d'un film d'électrode (2) et d'un substrat à semi-conducteur de type n (3) et une base (4). Dans la diode isolante de Schottky (1), le film isolant (1) formé d'un métal est amené au contact du substrat à semi-conducteurs de type n (3) de sorte qu'une couche d'appauvrissement soit formée sur la zone de contact du côté du substrat à semi-conducteurs de type n (3) et qu'une barrière de Schottky soit générée. Cette partie de jonction de Schottky est comprise dans la partie de diaphragme (5) dans le substrat à semi-conducteurs de type n (3) et fonctionne comme une zone de captage de pression.
(JA) 簡単な構成、ダイヤフラム部の厚さの制御等も容易で、高歩留まり、低コスト、かつ温度依存性が低く、高感度の半導体圧力センサを提供する。  半導体圧力センサは、バリア膜1、電極膜2、n型半導体基板3からなるショッキーバリアダイオード素子10と台座部4とで構成されている。ショットキーバリアダイオード素子10において、金属で構成されるバリア膜1とn型半導体基板3とを接触させることで、n型半導体基板3側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。このショットキー接合部分が、n型半導体基板3におけるダイヤフラム部5に含まれており、圧力を感知する領域となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)