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1. (WO2007052743) CIBLE DE PULVÉRISATION ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/052743    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/321969
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 02.11.2006
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), B23K 20/00 (2006.01), B23K 20/24 (2006.01), C23C 4/04 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2358522 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, Yukinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAMOTO, Toshiya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOHSAKA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Yukinobu; (JP).
WATANABE, Koichi; (JP).
SAKAMOTO, Toshiya; (JP).
SATO, Michio; (JP).
KOHSAKA, Yasuo; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-321844 07.11.2005 JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a sputtering target comprising a first layer located on the sputtering treatment face of a sputtering target material and a second layer located on the non-sputtering treatment face of the sputtering target material, the first layer and the second layer being joined to each other through the joining interface, and a process for producing the same. The sputtering target is characterized in that the ratio among the oxygen peak value (A) at the joining interface, the oxygen peak value (B) in the first layer, and the oxygen peak value (C) in the second layer satisfy the following requirements X and Y. Requirement X: A/B ≤ 1.5 Requirement Y: A/C ≤ 1.5 The above constitution can provide a sputtering target which is advantageous in that spent sputtering targets which have hitherto been in many cases disposed can be reutilized, resources can be effectively utilized, the occurrence of abnormal discharge and splashing can be effectively suppressed, and a good thin film can be stably formed.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation comprenant une première couche située sur la face de traitement par pulvérisation d’un matériau cible de pulvérisation et une seconde couche située sur la face non traitée par pulvérisation du matériau cible de pulvérisation, la première couche et la seconde couche étant jointes l'une à l'autre par l'interface de jonction, et un procédé pour la produire. La cible de pulvérisation est caractérisée en ce que le rapport entre la valeur du pic d'oxygène (A) à l’interface de jonction, la valeur du pic d’oxygène (B) dans la première couche, et la valeur du pic d’oxygène (C) dans la seconde couche satisfait les exigences X et Y suivantes. Exigence X : A/B ≤ 1,5 Exigence Y : A/C ≤ 1,5 La constitution ci-dessus permet d’obtenir une cible de pulvérisation qui présente l’avantage de ce que les cibles de pulvérisation utilisées dont on se débarrassait jusqu’à présent peuvent être réutilisées, que les ressources peuvent être utilisées efficacement, que l'apparition de décharges anormales et d'éclaboussures peut être supprimée efficacement, et qu'une pellicule mince de bonne qualité peut être constituée de façon stable.
(JA) 本発明は、スパッタリングターゲット材のスパッタ処理面側に位置する第1層と、スパッタリングターゲット材の非スパッタ処理面側に位置する第2層とが、この第1層と第2層との接合界面を介して接合されてなるスパッタリングターゲットであって、前記接合界面の酸素ピーク値(A)と、前記第1層の酸素ピーク値(B)と、前記第2層の酸素ピーク値(C)との比が、下記条件XおよびYを満たすことを特徴とするスパッタリングターゲット、およびその製造方法に関する。    条件X: A/B ≦ 1.5    条件Y: A/C ≦ 1.5  このような本発明によれば、従来廃棄処分されることが多かった使用済みスパッタリングターゲットを再利用可能として資源の有効利用が可能であり、異常放電やスプラッシュの発生を効果的に抑制された良好な薄膜を安定的に形成できるスパッタリングターゲットを提供できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)