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1. (WO2007052668) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/052668    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/321768
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 31.10.2006
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUSHIMA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAOKA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIZUKA, Shogo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NIKI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURAI, Keiichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUSHIMA, Osamu; (JP).
TAKAOKA, Masaki; (JP).
ISHIZUKA, Shogo; (JP).
NIKI, Shigeru; (JP).
SAKURAI, Keiichiro; (JP)
Mandataire : INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-316789 31.10.2005 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERTER AND PHOTOELECTRIC CONVERTER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置の製造方法および光電変換装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a photoelectric converter wherein a lower electrode layer, a compound semiconductor thin film having a chalcopyrite structure which serves as a light absorptive layer and a light-transmitting electrode layer, which are formed in layers, are respectively patterned by photolithography, thereby minimizing damages to the crystals of the compound semiconductor thin film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un convertisseur photoélectrique selon lequel une couche d’électrode inférieure, une pellicule mince en semi-conducteur composé comportant une structure de chalcopyrite qui sert de couche absorbant la lumière et une couche d’électrode transmettrice de lumière, qui se présentent sous forme de couches, reçoivent respectivement des motifs tracés par photolithographie, ce qui minimise les dommages causés aux cristaux de la pellicule mince en semi-conducteur composé.
(JA) 本発明の光電変換装置の製造方法では、積層形成される下部電極層、光吸収層として機能するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜、透光性電極層の各々を、フォトリソフラフィ技術を用いてパターニングし、化合物半導体薄膜の結晶に与えるダメージを最小限に抑える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)