WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007052335) CAPTEUR DE PRESSION SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/052335    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020072
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 01.11.2005
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), G01L 19/06 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (Tous Sauf US).
FUJI ELECTRIC DEVICE TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 11-2, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (Tous Sauf US).
KAMINAGA, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Masahide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEYANAGI, Katsumichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Kazunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIKAWA, Mutsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAMINAGA, Toshiaki; (JP).
HAYASHI, Masahide; (JP).
UEYANAGI, Katsumichi; (JP).
SAITO, Kazunori; (JP).
NISHIKAWA, Mutsuo; (JP)
Mandataire : NITTO INTERNATIONAL PATENT OFFICE P.P.C.; No. 17 Arai Building, 3-3, Shinkawa 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040033 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体圧力センサ
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a semiconductor pressure sensor which can solve a problem that, when the pressure of a pressure medium containing a corrosive substance such as exhaust gas is measured with a semiconductor pressure sensor, an aluminum electrode, an aluminum wire, and an input/output terminal are attacked by a corrosive gas, thereby improving the corrosion resistance of a sensor chip, and, at the same time, can particularly improve the corrosion resistance of a part as a pressure-sensitive part. The corrosion of an electrode is prevented by providing titanium tungsten layer and a gold layer on an aluminum electrode as a corrosion site. The corrosion of a connection wire by a corrosive substance can be prevented by using a gold wire as the connection wire. The corrosion of an input/output terminal can be prevented by plating the input/output terminal with gold.
(FR)La présente invention concerne un capteur de pression semi-conducteur qui peut résoudre le problème qui fait que, lorsque la pression d'un élément sous pression contenant une substance corrosive comme un gaz d’échappement est mesurée avec un capteur de pression semi-conducteur, une électrode d’aluminium, un câble en aluminium, et une borne d’entrée/sortie sont attaqués par un gaz corrosif, améliorant ainsi la résistance à la corrosion d'une puce de capteur, et qui, en même temps, peut améliorer particulièrement la résistance à la corrosion d'un élément tel qu'un élément sensible à la pression. La corrosion d’une électrode est empêchée en disposant une couche de titane et de tungstène et une couche d’or sur une électrode d’aluminium comme site de corrosion. La corrosion d’un câble de connexion par une substance corrosive peut être empêchée en utilisant un fil d’or comme câble de connexion. La corrosion d’une borne d’entrée/sortie peut être empêchée en recouvrant la borne d’entrée/sortie d’un placage d’or.
(JA) 本発明は、半導体圧力センサで排気ガスなどの腐食性物質を含む圧力媒体の圧力を測定すると、腐食性ガスにより、アルミ電極、アルミワイヤ、入出力端子が腐食してしまうという課題を解決し、センサチップの耐食性を向上させるとともに、特に感圧部となる部分の耐食性を向上させることを目的とする。  腐食部位となるアルミ電極をアルミ電極上にチタンタングステンの層と金の層を設けることによって、電極の腐食を防止する。接続ワイヤは金ワイヤを使用することによって、腐食物質による腐食を防止する。入出力端子も金メッキ化することによって、腐食を防止する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)