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1. (WO2007052002) CIRCUIT INTEGRE A SUPPORT MONOLITHIQUE D'AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/052002    N° de la demande internationale :    PCT/GB2006/004045
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 30.10.2006
CIB :
H03F 1/26 (2006.01), H03F 1/30 (2006.01), H03F 1/52 (2006.01), H03F 1/02 (2006.01), H03F 3/347 (2006.01)
Déposants : ZETEX SEMICONDUCTORS PLC [GB/GB]; Zetex Technology Park, Chadderton, Oldham OL9 9LL (GB) (Tous Sauf US).
BRADBURY, David [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BRADBURY, David; (GB)
Mandataire : THOMAS, Sean, J.; Marks & Clerk, Tower Building, Water Street, Liverpool L3 1BA (GB)
Données relatives à la priorité :
0522172.6 01.11.2005 GB
Titre (EN) MONOLITHIC LNA SUPPORT IC
(FR) CIRCUIT INTEGRE A SUPPORT MONOLITHIQUE D'AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT
Abrégé : front page image
(EN)A low noise amplifier (LNA) comprises: a plurality of FETs (F1, F2, F3, F4) arranged to process signals received by the amplifier; a power input (10) arranged to receive electrical power to operate the LNA; and a monolithic support integrated circuit (IC). The monolithic support IC comprises: a FET control circuit (2) arranged to monitor and control the drain current of each FET; a FET selection circuit (3, 24, 22) arranged to detect the level of a DC component of a voltage signal supplied to the power input and to provide a FET selection signal to the FET control circuit (2) according to the detected DC level.
(FR)L'invention concerne un amplificateur à faible bruit comprenant: plusieurs transistors à effet de champ (TEC) (F1, F2, F3, F4) disposés de manière à traiter des signaux reçus par l'amplificateur; une entrée de puissance (10) disposée de manière à recevoir du courant électrique afin de faire fonctionner l'amplificateur à faible bruit; et un circuit intégré à support monolithique. Le circuit intégré à support monolithique comprend: un circuit de régulation de TEC (2) disposé de manière à surveiller et à réguler le courant drain de chaque TEC; un circuit de sélection de TEC (3, 24, 22) disposé de manière à détecter le niveau d'un composant c.c. d'un signal de tension alimenté dans l'entrée de puissance et à fournir un signal de sélection de TEC au circuit de régulation de TEC (2) en fonction du niveau c.c. détecté.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)