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1. (WO2007051312) DISPOSITIF ET PROCEDE DE MODIFICATION DE SURFACE A L'AIDE DE FAISCEAUX DE PARTICULES CHARGEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/051312    N° de la demande internationale :    PCT/CA2006/001815
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 07.11.2006
CIB :
H01J 37/02 (2006.01), G01N 23/225 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : FIBICS INCORPORATED [CA/CA]; 556 Booth Street, Suite 200, Ottawa, Ontario K1A 0G1 (CA) (Tous Sauf US).
PHANEUF, Michael, William [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
LAGAREC, Ken, Guillaume [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
KRECHMER, Alexander [IL/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : PHANEUF, Michael, William; (CA).
LAGAREC, Ken, Guillaume; (CA).
KRECHMER, Alexander; (CA)
Mandataire : HUNG, Shin; BORDEN LADNER GERVAIS LLP, World Exchange Plaza, 100 Queen Street, Suite 1100, Ottawa, Ontario K1P 1J9 (CA)
Données relatives à la priorité :
60/733,812 07.11.2005 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR SURFACE MODIFICATION USING CHARGED PARTICLE BEAMS
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE MODIFICATION DE SURFACE A L'AIDE DE FAISCEAUX DE PARTICULES CHARGEES
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method for using high beam currents in FIB circuit edit operations, without the generation of electrostatic discharge events. An internal partial chamber is disposed over the circuit to be worked on by the FIB. The partial chamber has top and bottom apertures for allowing the ion beam to pass through, and receives a gas through a gas delivery nozzle. A non-reactive gas, or a combination of a non-reactive gas and a reactive gas, is added to the FIB chamber via the partial chamber, until the chamber reaches a predetermined pressure. At the predetermined pressure, the gas pressure in the partial chamber will be much greater than that of the chamber, and will be sufficiently high such that the gas molecules will neutralize charging induced by the beam passing through the partial chamber.
(FR)L'invention concerne un dispositif et un procédé d'utilisation de courants de faisceaux élevés dans des opérations de montage de circuits à faisceau ionique focalisé (FIB), sans production de décharges électrostatiques. Une chambre partielle intérieure est placée au-dessus du circuit soumis au FIB. La chambre partielle comporte des ouvertures supérieure et inférieure qui permettent le passage des faisceaux ioniques, et reçoit du gaz à travers une buse d'alimentation en gaz. Un gaz non réactif, ou une combinaison de gaz non réactif et de gaz réactif, est introduit dans la chambre FIB en passant par la chambre partielle, jusqu'à ce que la chambre atteigne une pression prédéterminée. A la pression prédéterminée, la pression du gaz contenu dans la chambre partielle est supérieure à celle de la chambre, mais elle est toutefois suffisamment élevée pour que les molécules de gaz neutralisent la charge entraînée par le passage du faisceau dans la chambre partielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)