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1. (WO2007051142) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR CUBOIDE METALLIQUE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/051142    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/060265
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 26.10.2006
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655447, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
ABBOTT, Donald, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ABBOTT, Donald, C.; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, Deputy General Patent Counsel, P.O. BOX 655474-5474, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/259,015 26.10.2005 US
Titre (EN) METAL CUBOID SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR CUBOIDE METALLIQUE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprising a semiconductor chip (101) assembled on a first copper cuboid (110); the cuboid has sides of a height (111). The device further has a plurality of second copper cuboids (120) suitable for wire bond attachment; the second cuboids have sides of a height (121) substantially equal to the height of the first cuboid. The back surfaces of all cuboids are aligned in a plane (130). Encapsulation compound (140) is adhering to and embedding the chip, the wire bonds, and the sides of all cuboids so that the compound forms a first surface (140b) aligned with the plane of the back cuboid surfaces and a second surface (140a) above the embedded wires. For devices intended for stacking, the devices further comprise a plurality of vias (160) through the encapsulation compound from the first to the second compound surfaces; the vias are filled with copper, and the via locations are matching between the devices-to-be-stacked.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une microplaquette semi-conductrice (101) assemblée sur un premier cuboïde en cuivre (110), le cuboïde possédant des côtés d'une certaine hauteur (111). Le dispositif comprend également une pluralité de seconds cuboïdes en cuivre (120) appropriés pour une connexion par fils ; les seconds cuboïdes possèdent des côtés d'une hauteur (121) sensiblement égale à celle du premier cuboïde. Les surfaces arrière de tous les cuboïdes sont alignées sur un plan (130). Le composé d'encapsulation (140) est collé et intégré à la microplaquette, aux connexions par fils et aux côtés de tous les cuboïdes de sorte que le composé forme une première surface (140b) alignée sur le plan des surfaces arrière des cuboïdes et une seconde surface (140a) sur les fils intégrés. Pour les dispositifs destinés à être empilés, les dispositifs comprennent également une pluralité de trous d'interconnexion (160) pratiqués dans le composé d'encapsulation de la première à la seconde surfaces du composé, les trous d'interconnexion étant remplis de cuivre et leurs emplacements concordant entre les dispositifs destinés à être empilés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)