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1. (WO2007050976) PROCEDE DE PROGRAMMATION D'UNE MEMOIRE REMANENTE A ETATS MULTIPLES PAR VERIFICATION INTELLIGENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/050976    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/042179
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 26.10.2006
CIB :
G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
LI, Yan [US/US]; (US) (US Seulement).
PHAM, Long [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Yan; (US).
PHAM, Long; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/260,658 27.10.2005 US
11/259,799 27.10.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR PROGRAMMING OF MULTI-STATE NON-VOLATILE MEMORY USING SMART VERIFY
(FR) PROCEDE DE PROGRAMMATION D'UNE MEMOIRE REMANENTE A ETATS MULTIPLES PAR VERIFICATION INTELLIGENTE
Abrégé : front page image
(EN)In a non-volatile memory, the initiation of program verification is adaptively set so that programming time is decreased. In one approach, non volatile storage elements are programmed based on a lower page of data to have a voltage threshold (VTH) that falls within a first VTH distribution or a higher, intermediate VTH distribution. Subsequently, the non-volatile storage elements with the first VTH distribution either remain there, or are programmed to a second VTH distribution, based on an upper page of data. The non-volatile storage elements with the intermediate VTH distribution are programmed to third and fourth VTH distributions. The non-volatile storage elements being programmed to the third VTH distribution are specially identified and tracked. Verification of the non-volatile storage elements being programmed to the fourth VTH distribution is initiated after one of the identified non-volatile storage elements transitions to the third VTH distribution from the intermediate VTH distribution.
(FR)Dans une mémoire rémanente, le lancement d'une vérification de programme est défini de manière adaptée de façon que le temps de programmation soit réduit. Dans une approche, des éléments de stockage rémanents sont programmés sur la base d'une page inférieure de données pour obtenir un seuil de tension (VTH) compris dans une première plage VTH ou dans une plage VTH intermédiaire, supérieure. Ensuite, les éléments de stockage rémanents dans la première plage VTH restent avec cette tension, ou sont programmés à une deuxième plage VTH sur la base d'une page supérieure de données. Les éléments de stockage rémanents dans la plage VTH intermédiaire sont programmés à une troisième et quatrième plage VTH. Les éléments de stockage rémanents programmés à la troisième plage VTH sont spécialement identifiés et surveillés. La vérification des éléments de stockage rémanents programmés à la quatrième plage VTH est lancée après qu'un des éléments de stockage rémanents identifiés passe à la troisième plage VTH à partir de la plage VTH intermédiaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)