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1. (WO2007050421) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS A ENCAPSULATION AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/050421    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/040870
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 18.10.2006
CIB :
H01L 23/29 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
CONDIE, Brian W. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHAH, Mahesh K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CONDIE, Brian W.; (US).
SHAH, Mahesh K.; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/257,887 24.10.2005 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH IMPROVED ENCAPSULATION
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS A ENCAPSULATION AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN)Structure and method are provided for plastic encapsulated semiconductor devices. The encapsulation (47) comprises a plastic binder having a dielectric constant ϵb and loss tangent &dgr;b and a filler (52) mixed therewith having lower ϵf and/or &dgr;f so that ϵm and/or &dgr;m of the mix is less than ϵb, &dgr;b, respectively. Hollow microspheres of varied sizes are preferred fillers, desirably in the size range of about 0.3 to 300 micrometers. These should comprise at least about 50%, more preferably 60 to 70% or more of the mixture by volume so that the resulting mix has ϵm < 3, preferably < 2.5 and &dgr;m < 0.005. The encapsulant mixture is placed in proximity to or on the die so that the fringing electric fields of the die, die wiring and/or die connections are exposed to a lower ϵ and/or &dgr; than that of a plastic encapsulation without the filler.
(FR)L'invention concerne une structure et un procédé pour dispositifs à semi-conducteurs encapsulés sous plastique. L'encapsulation (47) comprend un liant plastique avec une constante diélectrique eb et un facteur de dissipation db et une charge (52) mélangée à celui-ci avec une ef et/ou un df inférieurs de manière que la em et/ou le dm du mélange soient respectivement inférieurs à eb, db. Des microsphères creuses de dimensions variées sont les charges préférées, de préférence d'environ 0,3 à 300 micromètres. Celles-ci devraient comprendre au moins environ 50 %, plus préférablement 60 à 70 % ou plus du mélange en volume de manière à obtenir un mélange avec em < 3, de préférence < 2,5 et dm < 0,005. Le mélange d'encapsulation est placé à proximité de la puce ou sur la puce de façon que les champs électriques des bords de la puce, le câblage de la puce et/ou les connexions de la puce soient exposés à des e et/ou d inférieurs à ceux de l'encapsulation plastique sans la charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)