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1. (WO2007050313) POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE DE SUBSTRATS DE CUIVRE/RUTHENIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/050313    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/039956
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 12.10.2006
CIB :
B24B 3/06 (2006.01), B24B 37/04 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; Legal Department, 870 North Commons Drive, Aurora, Illinois 60504 (US)
Inventeurs : THOMPSON, Christopher; (US).
BRUSIC, Vlasta; (US).
ZHOU, Renjie; (US)
Mandataire : WESEMAN, Steven; Associate General Counsel, Intellectual Property, Cabot Microelectronics Corporation, 870 North Commons Drive, Aurora, Illinois 60504 (US)
Données relatives à la priorité :
11/259,645 26.10.2005 US
Titre (EN) CMP OF COPPER/RUTHENIUM SUBSTRATES
(FR) POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE DE SUBSTRATS DE CUIVRE/RUTHENIUM
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate. A substrate comprising ruthenium and copper is contacted with a chemical-mechanical polishing system comprising a polishing component, hydrogen peroxide, an organic acid, at least one heterocyclic compound comprising at least one nitrogen atom, and water. The polishing component is moved relative to the substrate, and at least a portion of the substrate is abraded to polish the substrate. The pH of the polishing system is 6 to 12, the ruthenium and copper are in electrical contact, and the difference between the open circuit potential of copper and the open circuit potential of ruthenium in the polishing system is 50 mV or less.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de polissage chimico-mécanique de substrats. Le procédé selon l'invention consiste : à mettre un substrat contenant du ruthénium en contact avec un système de polissage chimico-mécanique renfermant un élément de polissage, du peroxyde d'hydrogène, un acide organique, au moins un composé hétérocyclique contenant au moins un atome d'azote, et de l'eau ; à déplacer l'élément de polissage par rapport au substrat ; et à abraser au moins une partie du substrat afin de polir ce dernier. Le pH du système de polissage est compris entre 6 et 12, le ruthénium et le cuivre sont en contact électrique, et la différence entre le potentiel de circuit ouvert du cuivre et le potentiel de circuit ouvert du ruthénium dans le système de polissage est inférieure ou égale à 50 mV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)