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1. (WO2007050288) TYPES DE PLUSIEURS DISPOSITIFS COMPRENANT UN TRANSISTOR A CANAL EN T INVERSE ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/050288    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/039651
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 10.10.2006
CIB :
H01L 21/4763 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
MIN, Byoung W. [KR/US]; (US) (US Seulement).
BURNETT, James D. [US/US]; (US) (US Seulement).
MATHEW, Leo [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MIN, Byoung W.; (US).
BURNETT, James D.; (US).
MATHEW, Leo; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/257,972 25.10.2005 US
Titre (EN) MULTIPLE DEVICE TYPES INCLUDING AN INVERTED-T CHANNEL TRANSISTOR AND METHOD THEREFOR
(FR) TYPES DE PLUSIEURS DISPOSITIFS COMPRENANT UN TRANSISTOR A CANAL EN T INVERSE ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method for making a semiconductor device (10) is provided. The method includes forming a first transistor (94) with a vertical active region (56) and a horizontal active region (54) extending on both sides of the vertical active region (56). The method further includes forming a second transistor (96) with a vertical active region (58). The method further includes forming a third transistor (98) with a vertical active region (60) and a horizontal active region (54) extending on only one side of the vertical active region (60).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur (10). Ce procédé consiste à former un premier transistor (94) pourvu d'une région active verticale (56) et d'une région active horizontale (54) s'étendant des deux côtés de la région active verticale (56). Le procédé consiste également à former un deuxième transistor (96) pourvu d'une région active verticale (58). Le procédé consiste à former également un troisième transistor (98) pourvu d'une région active verticale (60) et d'une région active horizontale (54) s'étendant sur un côté seulement de la région active verticale (60).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)