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1. (WO2007049435) PROCEDE DE FABRICATION ET DE NETTOYAGE D’UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/049435    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/319840
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 04.10.2006
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
IKEUCHI, Youji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI, Takeme [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IKEUCHI, Youji; (JP).
SAKAI, Takeme; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 1110041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-310842 26.10.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR WAFER CLEANING METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION ET DE NETTOYAGE D’UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハの洗浄方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor wafer manufacturing method is provided with at least a slicing step for cutting out a thin-board-like wafer from a semiconductor ingot, a planarizing step for planarizing the wafer, an etching step for removing process distortion from the wafer, and a polishing step for polishing the wafer. The semiconductor wafer manufacturing method and a semiconductor wafer cleaning method are characterized in that the wafer is cleaned with a cleaning solution containing oxygenated water, citric acid and sodium hydroxide, after the polishing step. Thus, metal impurities adhered on the wafer after the polishing step can be efficiently removed.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une plaquette semi-conductrice qui comprend au moins une étape de coupe en tranche destinée à découper une plaquette en forme de plaque mince à partir d’un lingot semi-conducteur, une étape d’aplanissement destinée à aplanir la plaquette, une étape d’attaque chimique destinée à supprimer de la plaquette la distorsion due au traitement, et une étape de polissage destinée à polir la plaquette. Le procédé de fabrication et le procédé de nettoyage de la plaquette semi-conductrice sont caractérisés en ce que la plaquette est nettoyée avec une solution nettoyante contenant de l’eau oxygénée, de l’acide citrique et de l’hydroxyde de sodium, après l’étape de polissage. Ainsi, des impuretés métalliques adhérant à la plaquette après l’étape de polissage peuvent être efficacement éliminées.
(JA) 本発明は、少なくとも、半導体インゴットから薄板状のウエーハを切り出すスライス工程と、前記ウエーハを平坦化する平坦化工程と、前記ウエーハの加工歪みを除去するエッチング工程と、前記ウエーハを研磨する研磨工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法および洗浄方法である。これにより、研磨工程後にウエーハに付着している金属不純物を効率的に除去できる半導体ウエーハの製造方法および洗浄方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)