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1. (WO2007049402) PROCEDE DE PRODUCTION D’UN FILM UTILISANT UN PLASMA D’HYDROGENE SOUS PRESSION ATMOSPHERIQUE ET PROCEDE ET APPAREIL DE PRODUCTION D’UN FILM DE PURIFICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/049402    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/317817
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 08.09.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.08.2007    
CIB :
H01L 21/203 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP) (Tous Sauf US).
OHMI, Hiromasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YASUTAKE, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAKIUCHI, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Hiromasa; (JP).
YASUTAKE, Kiyoshi; (JP).
KAKIUCHI, Hiroaki; (JP)
Mandataire : KOBAYASI, Ryohei; KOBAYASI PATENT & TRADEMARK 7th Floor, Hougen-Sizyokarasuma Building 37, Motoakuozi-tyo Higasinotouin Sizyo-sagaru Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-311934 26.10.2005 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING FILM USING ATMOSPHERIC PRESSURE HYDROGEN PLASMA, AND METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING PURIFICATION FILM
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D’UN FILM UTILISANT UN PLASMA D’HYDROGENE SOUS PRESSION ATMOSPHERIQUE ET PROCEDE ET APPAREIL DE PRODUCTION D’UN FILM DE PURIFICATION
(JA) 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a process for producing a thin film of polycrystalline Si and the like in a high-speed, homogeneous quality and low-cost manner, and an apparatus for use in the production process. An Si atom released from a low-temperature side target can be deposited onto a high-temperature side substrate by cooling one electrode with water, mounting an Si target on the one electrode, heating the other electrode, mounting any desired substrate on the other electrode, generating atmospheric hydrogen plasma between the Si target and the substrate. In this case, the incorporation of a doping element in the target can realize the production of a thin film of doped Si. Since there is no need to handle expensive and harmful gases such as SiH4, B2H6 and PH3, equipment and operation costs can be reduced. Further, only an intended substance can be purified from a target containing a plurality of substances by applying the production process according to the present invention.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’un film mince de silicium polycristallin et analogues à grande vitesse et de qualité homogène et de manière peu coûteuse, et un appareil destiné à un usage dans le procédé de production. Un atome de silicium libéré à partir d’une cible à basse température peut être déposé sur un substrat à haute température par le refroidissement d’une électrode avec de l'eau, le montage d’une cible de silicium sur l’électrode, le chauffage de l'autre électrode, le montage de n'importe quel substrat souhaité sur l'autre électrode, la production d’un plasma d'hydrogène atmosphérique entre la cible de silicium et le substrat. Dans ce cas, l'incorporation d'un élément de dopage dans la cible peut entraîner la production d'un film mince de silicium dopé. Etant donné qu’il n’est pas nécessaire de manipuler des gaz coûteux et nocifs tels que SiH4, B2H6 et PH3, l’équipement et les coûts de fonctionnement peuvent être réduits. De plus, seule une substance souhaitée peut être purifiée à partir d'une cible contenant une pluralité de substances en appliquant le procédé de production selon la présente invention.
(JA) 本発明は、多結晶Si薄膜等を高速、均質、低コストで作製する製造方法とその装置を提供するためになされた。一方の電極を水冷してSiターゲットを装着し、他方の電極を加温して任意の基板を装着し、両者の間に大気圧水素プラズマを発生させると、低温側ターゲットから放出されるSi原子を高温側基板上に堆積させることができる。このとき、ターゲットにドーピング元素を含ませておけば、ドープされたSi薄膜を作製することができる。SiH4、B2H6、PH3等の高価・有害なガスを取り扱う必要がないので、設備・運転コストを低減することができる。また、本発明に係る膜製造方法を応用することにより、複数の物質を含むターゲットから、目的物質のみを純化することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)