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1. (WO2007048904) DISPOSITIF DE FABRICATION D'UN RUBAN DE SILICIUM OU AUTRES MATERIAUX CRISTALLINS ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/048904    N° de la demande internationale :    PCT/FR2006/002349
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 19.10.2006
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : APOLLON SOLAR [FR/FR]; 211 Bd Vincent Auriol, F-75013 Paris (FR) (Tous Sauf US).
CYBERSTAR [FR/FR]; Sud Galaxie, 1, rue des Tropiques, F-38130 Echirolles (FR) (Tous Sauf US).
EINHAUS, Roland [DE/FR]; (FR) (US Seulement).
LISSALDE, François [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
LAUVRAY, Hubert [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : EINHAUS, Roland; (FR).
LISSALDE, François; (FR).
LAUVRAY, Hubert; (FR)
Mandataire : HECKE, Gérard; Cabinet Hecké, WTC Europole, 5 place Robert Schuman, B.P. 1537, F-38025 Grenoble Cedex 1 (FR)
Données relatives à la priorité :
0510940 26.10.2005 FR
Titre (EN) DEVICE FOR MAKING A SILICON RIBBON OR OF OTHER CRYSTALLINE MATERIALS AND MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION D'UN RUBAN DE SILICIUM OU AUTRES MATERIAUX CRISTALLINS ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a device comprising a crucible (1) having a base (2) and side walls. The crucible (1) comprises at least one lateral slot (4) arranged horizontally at a lower part of the side walls (3). The lateral slot (4) has a width greater than 50 mm and, preferably, ranging between 100 mm and 500 mm. The height (H) of the slot (4) ranges between 50 and 1000 micrometers. The crystalline material exits the crucible through the lateral slot (4) so as to form a crystalline ribbon (R). The method includes a step of contacting a crystallization nucleus with the material exiting through the lateral slot (4) and a step of moving horizontally the ribbon (R).
(FR)Le dispositif comporte un creuset (1) ayant un fond (2) et des parois (3) latérales. Le creuset (1) comporte au moins une fente (4) latérale disposée horizontalement à une partie inférieure des parois (3) latérales. La fente (4) latérale présente une largeur supérieure à 50mm et, de préférence, comprise entre 100mm et 500mm. La hauteur (H) de la fente (4) est comprise entre 50 et 1000 micromètres. Le matériau cristallin sort du creuset par la fente (4) latérale de manière à former un ruban (R) cristallin. Le procédé comporte une étape de mise en contact d'un germe de cristallisation avec le matériau sortant par la fente (4) latérale et une étape de déplacement horizontal du ruban (R).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)