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1. (WO2007048345) DISPOSITIF LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE ÉLECTRODE POUR UNE SURFACE POLAIRE DE TYPE N À L’InGaAlN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/048345    N° de la demande internationale :    PCT/CN2006/002870
Date de publication : 03.05.2007 Date de dépôt international : 26.10.2006
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01)
Déposants : LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION [CN/CN]; Institute of Material Science, North Area of Nanchang University, No. 235, East Nanjing Road, Nanchang, Jiangxi 330047 (CN) (Tous Sauf US).
WANG, Li [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
JIANG, Fengyi [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHOU, Maoxing [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
FANG, Wenqing [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Li; (CN).
JIANG, Fengyi; (CN).
ZHOU, Maoxing; (CN).
FANG, Wenqing; (CN)
Mandataire : KING & WOOD PRC LAWYERS; 31/F Tower A, Jianwai SOHO, 39 Dongsanhuan Zhonglu, Chaoyang District, Beijing 100022 (CN)
Données relatives à la priorité :
200510030874.2 27.10.2005 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH ELECTRODE FOR N-POLAR InGaAlN SURFACE
(FR) DISPOSITIF LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE ÉLECTRODE POUR UNE SURFACE POLAIRE DE TYPE N À L’InGaAlN
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the present invention provides a semiconductor light-emitting device. The semiconductor light-emitting device includes a substrate, a p-type doped InGaAIN layer, an n-type doped InGaAIN layer, and an active layer situated between the p-type doped and n-type doped InGaAIN layers. The semiconductor light-emitting device further includes an n-side Ohmic-contact layer coupled to an N-polar surface of the n-type doped InGaAIN layer. The Ohmic-contact layer comprises at least one of Au, Ni, and Pt, and at least one of group IV elements.
(FR)Un mode de réalisation de la présente invention concerne un dispositif luminescent semi-conducteur. Le dispositif luminescent semi-conducteur comprend un substrat, une couche d’InGaAlN dopée de type p, une couche d’InGaAlN dopée de type n, et une couche active intercalée entre les couches d’InGaAlN dopées de type p et de type n. Le dispositif luminescent semi-conducteur comprend en outre une couche de contact ohmique du côté n couplée à une surface polaire de type n de la couche d’InGaAlN dopée de type n. La couche de contact ohmique comprend au moins l'un des éléments du groupe composé de Au, Ni et Pt et au moins l’un des éléments du groupe IV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)