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1. (WO2007022316) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE COMPRENANT DES TRANCHEES DE GRILLE INTERCONNECTEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/022316    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/032060
Date de publication : 22.02.2007 Date de dépôt international : 16.08.2006
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, California 90245 (US) (Tous Sauf US).
MA, Ling [CN/US]; (US) (US Seulement).
AMALI, Adam I. [NG/US]; (US) (US Seulement).
TURNER, Russell [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : MA, Ling; (US).
AMALI, Adam I.; (US).
TURNER, Russell; (GB)
Mandataire : WEINER, Samuel, H.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen LLP, 1180 Avenue Of The Americas, New York, New York 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/709,020 17.08.2005 US
11/504,740 15.08.2006 US
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH INTERCONNECTED GATE TRENCHES
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE COMPRENANT DES TRANCHEES DE GRILLE INTERCONNECTEES
Abrégé : front page image
(EN)A power semiconductor device which includes a plurality of gate trenches and a perimeter trench intersecting the gate trenches.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur de puissance comprenant une pluralité de tranchées de grille et une tranchée de périmètre croisant les tranchées de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)