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1. (WO2007022129) PROCEDE D'ABLATION LASER POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS ORGANIQUES HAUTE PERFORMANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/022129    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/031731
Date de publication : 22.02.2007 Date de dépôt international : 14.08.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.03.2007    
CIB :
H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : ORGANICID, INC. [US/US]; 422 East Vermijo, Suite 409, Colorado Springs, CO 80903 (US) (Tous Sauf US).
DIMMLER, Klaus [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DIMMLER, Klaus; (US)
Mandataire : BURTON, Carol, W.; HOGAN & HARTSON, LLP, 1200 17th Street, Suite 1500, Denver, CO 80202 (US)
Données relatives à la priorité :
11/204,724 16.08.2005 US
Titre (EN) LASER ABLATION METHOD FOR FABRICATING HIGH PERFORMANCE ORGANIC DEVICES
(FR) PROCEDE D'ABLATION LASER POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS ORGANIQUES HAUTE PERFORMANCE
Abrégé : front page image
(EN)A laser ablation method is utilized to define the channel length of an organic transistor. A substrate is coated with a deposition of a metal or conductive polymer deposition, applied in a thin layer in order to enhance the resolution that can be attained by laser ablation. The laser ablation method can be used in a roll-to-roll process, and achieves speeds, volumes, prices and resolutions that are adequate to produce printed electronic technologies.
(FR)L'invention concerne un procédé d'ablation laser utilisé pour définir la longueur de canal d'un transistor organique. Un substrat est revêtu par dépôt d'un métal ou par dépôt d'un polymère conducteur appliqué sous forme de couche mince en vue d'une augmentation de la résolution pouvant être atteinte par ablation laser. Le procédé d'ablation laser peut être utilisé dans un processus de dépôt continu à rouleaux (roll-to-roll) et permet d'obtenir des vitesses, des volumes, des prix et des résolutions adéquats pour la production de composants électroniques imprimés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)