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1. (WO2007022075) FORMATION DES BILLES DE SOUDURE ETAIN-ARGENT DANS LA FABRICATION DE PRODUITS ELECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/022075    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/031618
Date de publication : 22.02.2007 Date de dépôt international : 14.08.2006
CIB :
H01L 21/445 (2006.01)
Déposants : ENTHONE INC. [US/US]; 350 Frontage Road, West Haven, CT 06516 (US) (Tous Sauf US).
RICHARDSON, Thomas, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
KLEINFELD, Marlies [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RIETMANN, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZAVARINE, Igor [RU/US]; (US) (US Seulement).
STEINIUS, Ortrud [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZHANG, Yun [US/US]; (US) (US Seulement).
ABYS, Joseph, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RICHARDSON, Thomas, B.; (US).
KLEINFELD, Marlies; (DE).
RIETMANN, Christian; (DE).
ZAVARINE, Igor; (US).
STEINIUS, Ortrud; (DE).
ZHANG, Yun; (US).
ABYS, Joseph, A.; (US)
Mandataire : FLEISCHUT, Paul, I.J.; Senniger Powers, 1 Metropolitan Square, 16th Floor, St. Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/708,328 15.08.2005 US
11/463,355 09.08.2006 US
Titre (EN) TIN-SILVER SOLDER BUMPING IN ELECTRONICS MANUFACTURE
(FR) FORMATION DES BILLES DE SOUDURE ETAIN-ARGENT DANS LA FABRICATION DE PRODUITS ELECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A process for forming a solder bump on an under bump metal structure in the manufacture of a microelectronic device comprising exposing the under bump metal structure to an electrolytic bath comprising a source of Sn2+ ions, a source of Ag+ ions, a thiourea compound and/or a quaternary ammonium surfactant; and supplying an external source of electrons to the electrolytic bath to deposit a Sn-Ag alloy onto the under bump metal structure.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une bille de soudure sur une structure métallique sous soudure dans la fabrication d'un dispositif microélectronique, par exposition de la structure à un bain électrolytique comprenant une source d'ions Sn2+, une source d'ions Ag+, un composé thiourée et/ou un tensioactif ammonium quaternaire; puis par apport au bain électrolytique d'une source externe d'électrons de façon à déposer sur la structure métallique sous soudure un alliage Sn-Ag.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)