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1. (WO2007021717) STRUCTURES DE SCELLEMENT ÉLASTIQUES POUR ANODES À MÉTAL ACTIF PROTÉGÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/021717    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/030985
Date de publication : 22.02.2007 Date de dépôt international : 08.08.2006
CIB :
H01M 2/18 (2006.01), H01M 2/08 (2006.01), H01M 4/04 (2006.01)
Déposants : POLYPLUS BATTERY COMPANY [US/US]; 2431 Fifth Street, Suite B, Berkeley, California 94710 (US) (Tous Sauf US).
VISCO, Steven, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
NIMON, Yevgeniy, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
DE JONGHE, Lutgard [US/US]; (US) (US Seulement).
KATZ, Bruce, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
PETROV, Alexei [RU/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : VISCO, Steven, J.; (US).
NIMON, Yevgeniy, S.; (US).
DE JONGHE, Lutgard; (US).
KATZ, Bruce, D.; (US).
PETROV, Alexei; (US)
Mandataire : AUSTIN, James, E.; Beyer Weaver & Thomas, Llp, P.O. Box 70250, Oakland, California 94612-0250 (US)
Données relatives à la priorité :
60/706,886 09.08.2005 US
60/713,668 02.09.2005 US
Titre (EN) COMPLIANT SEAL STRUCTURES FOR PROTECTED ACTIVE METAL ANODES
(FR) STRUCTURES DE SCELLEMENT ÉLASTIQUES POUR ANODES À MÉTAL ACTIF PROTÉGÉES
Abrégé : front page image
(EN)Protected anode architectures have ionically conductive protective membrane architectures that, in conjunction with compliant seal structures and anode backplanes, effectively enclose an active metal anode inside the interior of an anode compartment. This enclosure prevents the active metal from deleterious reaction with the environment external to the anode compartment, which may include aqueous, ambient moisture, and/or other materials corrosive to the active metal. The compliant seal structures are substantially impervious to anolytes, catholyes, dissolved species in electrolytes, and moisture and compliant to changes in anode volume such that physical continuity between the anode protective architecture and backplane are maintained. The protected anode architectures can be used in arrays of protected anode architectures and battery cells of various configurations incorporating the protected anode architectures or arrays.
(FR)Cette invention concerne des architectures d’anodes protégées comprenant des architectures de membranes protectrices ioniquement conductrices qui, en relation avec des structures de scellement élastiques et des faces arrière d’anode, entourent parfaitement une anode à métal actif au sein d’un compartiment d’anode. Cette enveloppe empêche une réaction délétère du métal actif avec l’environnement externe au compartiment d’anode, qui peut comporter un milieu aqueux, une humidité ambiante et/ou d’autres matériaux corrosifs du métal actif. Les structures de scellement élastiques sont sensiblement étanches aux anolytes, catholytes, espèces chimiques dissoutes dans des électrolytes et à l’humidité, et élastiques aux variations de volume d’anode de sorte à maintenir la continuité physique entre l’architecture protectrice d’anode et la face arrière. Les architectures d’anodes protégées peuvent être utilisées dans des réseaux de telles architectures et de cellules de batterie selon diverses configurations intégrant ces architectures ou des réseaux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)