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1. (WO2007021509) DIODES D'EMISSION DE LUMIERE A CAVITE RESONANTE D'INFRAROUGE MOYEN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/021509    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/029562
Date de publication : 22.02.2007 Date de dépôt international : 28.07.2006
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : GE SECURITY, INC. [US/US]; 8985 Town Center Parkway, Bradenton, FL 34202 (US) (Tous Sauf US).
NELSON, Audrey [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NELSON, Audrey; (US)
Mandataire : CONKLIN, Mark, A.; GENERAL ELECTRIC COMPANY, GLOBAL PATENT OPERATION, 187 Danbury Road, Suite 204, Wilton, CT 06897 (US)
Données relatives à la priorité :
11/203,398 15.08.2005 US
Titre (EN) MID-INFRARED RESONANT CAVITY LIGHT EMITTING DIODES
(FR) DIODES D'EMISSION DE LUMIERE A CAVITE RESONANTE D'INFRAROUGE MOYEN
Abrégé : front page image
(EN)A Resonant Cavity Light Emitting Diode (RCLED) device having a first active region having one or more quantum wells disposed within, a first chamber and a second chamber coupled to the first active region and a first reflector and a second reflector coupled to the first and second chambers respectively is disclosed. The RCLED can be optimized to emit radiation in the carbon-dioxide absorption band.
(FR)L'invention concerne un dispositif à diode d'émission de lumière à cavité résonante qui possède une première région active pourvue d'au moins un puits quantique, des première et seconde chambres couplées à ladite première région active et des premier et second réflecteurs couplés respectivement aux première et seconde chambres. Ce dispositif à diode d'émission de lumière à cavité résonante peut être optimisé de manière à émettre des rayonnements dans la bande d'absorption de dioxyde de carbone.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)