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1. (WO2007020981) CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE DE CUIVRE CONTENANT DU Mn QUI GÉNÈRE MOINS DE PARTICULES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/020981 N° de la demande internationale : PCT/JP2006/316182
Date de publication : 22.02.2007 Date de dépôt international : 17.08.2006
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
Déposants : AOKI, Shoji[JP/JP]; JP (UsOnly)
WADA, Masahiko[JP/JP]; JP (UsOnly)
KOIDE, Masato[JP/JP]; JP (UsOnly)
MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION[JP/JP]; 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : AOKI, Shoji; JP
WADA, Masahiko; JP
KOIDE, Masato; JP
Données relatives à la priorité :
2005-23817119.08.2005JP
Titre (EN) Mn CONTAINING COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET WHICH GENERATES LESS PARTICLES
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE DE CUIVRE CONTENANT DU Mn QUI GÉNÈRE MOINS DE PARTICULES
(JA) パーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット
Abrégé :
(EN) Provided is a Mn containing copper alloy sputtering target generating less particles, by which a diffusion preventing film of a semiconductor device wiring and a seed film can be formed at the same time. The Mn containing copper alloy sputtering target, which is composed of a copper alloy and generates less particles, has a composition wherein a Mn of 0.6-30% by mass is included and the rest is composed of Cu and impurities. In the sputtering target, the impurities are of metal and is 40ppm or less, and oxygen is controlled to be 10ppm or less, nitrogen to be 5ppm or less, hydrogen to be 5ppm or less and carbon to be 10ppm or less.
(FR) La présente invention concerne une cible de pulvérisation en alliage de cuivre contenant du Mn qui génère moins de particules, grâce à laquelle il est possible de former simultanément un film anti-diffusion du câblage d'un dispositif à semiconducteur et une amorce de film. La cible de pulvérisation en alliage de cuivre contenant du Mn, qui est composée d'un alliage de cuivre et qui génère moins de particules, a une composition dans laquelle sont inclus de 0,6 à 30 % en masse de Mn, le reste étant composé de Cu et d'impuretés. Dans la cible de pulvérisation, les impuretés sont du métal et leur concentration est inférieure ou égale à 40 ppm, tandis que le réglage est tel que la concentration en oxygène est inférieure ou égale à 10 ppm, la concentration en azote est inférieure ou égale à 5 ppm, la concentration en hydrogène est inférieure ou égale à 5 ppm et la concentration en carbone est inférieure ou égale à 10 ppm.
(JA)  半導体デバイス配線の拡散防止膜およびシード膜を同時に製膜することができるパーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲットを提供する。  Mn:0.6~30質量%を含み、残部がCuおよび不純物からなる組成を有し、かつ前記不純物が金属系不純物:40ppm以下であり、かつ酸素が:10ppm以下、窒素:5ppm以下、水素:5ppm以下、炭素:10ppm以下に規制された銅合金からなるパーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)