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1. (WO2007020878) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE SILICE POREUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/020878    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/315869
Date de publication : 22.02.2007 Date de dépôt international : 10.08.2006
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : MITSUI CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 5-2, Higashi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1057117 (JP) (Tous Sauf US).
MURAKAMI, Masami [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OIKE, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KURANO, Yoshito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARITSUKA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WACHI, Hiroko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURAKAMI, Masami; (JP).
OIKE, Shunsuke; (JP).
KURANO, Yoshito; (JP).
ARITSUKA, Makoto; (JP).
WACHI, Hiroko; (JP)
Mandataire : SAIKYO, Keiichiro; Shikishima Building, 2-6, Bingomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-234460 12.08.2005 JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING POROUS SILICA
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE SILICE POREUSE
(JA) 多孔質シリカの製造方法および製造装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a porous silica or porous silica film which has low relative dielectric constant and high mechanical strength and is suitably used for optical functional materials, electronic functional materials and the like. Also disclosed are methods for producing an interlayer insulating film, material for semiconductors and semiconductor device respectively using such a porous silica film, and apparatuses used for producing those. A composite is obtained by drying a solution containing a hydrolysis-condensation product of an alkoxysilane and a surface active agent, and the composite is sequentially subjected to an ultraviolet irradiation treatment and a hydrophobilizing treatment using an organosilicon compound having an alkyl group in this order. A porous silica film can be obtained by drying the solution on a substrate for forming the composite.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’une silice poreuse ou d’un film de silice poreux qui a une faible constante diélectrique relative et une forte résistance mécanique et est utilisé de manière appropriée pour des matériaux fonctionnels optiques, des matériaux fonctionnels électroniques et analogues. La présente invention concerne en outre des procédés de production d’un film isolant intercalaire, d’un matériel pour semi-conducteurs et d’un dispositif semi-conducteur respectivement utilisant un tel film de silice poreux et des appareils destinés à produire ceux-ci. Un composite est obtenu en séchant une solution contenant un produit d’hydrolyse et de condensation d’un alcoxysilane et d’un agent tensioactif et le composite est séquentiellement soumis à un traitement par irradiation d’UV et à un traitement pour rendre hydrophobe en utilisant un composé organosilicié ayant un groupe alkyle dans cet ordre. Un film de silice poreux peut être obtenu en séchant la solution sur un substrat pour former le composite.
(JA) 低比誘電率と高機械的強度とを併せ持ち、光機能材料、電子機能材料などに好適に使用できる多孔質シリカおよび多孔質シリカフィルムの製造方法、および該多孔質シリカフィルムを用いる層間絶縁膜、半導体用材料および半導体装置の製造方法、ならびにそれらを製造するための製造装置を提供する。アルコキシシラン類の加水分解縮合物と界面活性剤とを含む溶液を乾燥して複合体を得、この複合体に紫外線照射処理およびアルキル基を有する有機ケイ素化合物による疎水化処理をこの順番で施す。前記溶液を基板上で乾燥させて複合体を形成すれば、多孔質シリカフィルムが得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)