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N° de publication : WO/2007/020822 N° de la demande internationale : PCT/JP2006/315527
Date de publication : 22.02.2007 Date de dépôt international : 04.08.2006
CIB :
B23K 26/40 (2006.01) ,B28D 5/00 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,B23K 101/40 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
36
Enlèvement de matière
40
tenant compte des propriétés de la matière à enlever
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
28
TRAVAIL DU CIMENT, DE L'ARGILE OU DE LA PIERRE
D
TRAVAIL DE LA PIERRE OU DES MATÉRIAUX SEMBLABLES À LA PIERRE
5
Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301
pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
101
Objets fabriqués par brasage, soudage ou découpage
36
Dispositifs électriques ou électroniques
40
Dispositifs semi-conducteurs
Déposants : SAKAMOTO, Takeshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
MURAMATSU, Kenichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.[JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : SAKAMOTO, Takeshi; JP
MURAMATSU, Kenichi; JP
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6 Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
Données relatives à la priorité :
2005-23503712.08.2005JP
Titre (EN) LASER PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU LASER
(JA) レーザ加工方法
Abrégé :
(EN) A laser processing method in which particles are prevented from being generated from the cutting surface of a chip obtained by cutting a silicon wafer. Irradiation conditions of laser light (L) for forming modified regions (77-712) are altered from irradiation conditions of laser light (L) for forming modified regions (713-719) such that spherical aberration of laser light (L) is corrected in the region at a depth of 335-525 μm from the surface (3) of a silicon wafer (11). Consequently, even if the silicon wafer (11) and a functional element layer(16) are cut into semiconductor chips starting from the modified regions (71-719), twist hackle does not appear noticeably in the region at a depth of 335-525 μm and generation of particles is suppressed.
(FR) Procédé de traitement au laser dans lequel on empêche la génération de particules par la surface de coupe d’une puce obtenue en coupant une galette de silicium. Les conditions d’irradiation de la lumière laser (L) servant à former des zones modifiées (77-712) sont altérées par les conditions d’irradiation de la lumière laser (L) servant à former des zones modifiées (713-719) de sorte que l'aberration sphérique de la lumière laser (L) est corrigée dans la zone à une profondeur de 335-525 µm de la surface (3) d’une galette de silicium (11). Par conséquent, même si la galette de silicium (11) et une couche d’élément fonctionnel (16) sont coupées en puces semi-conductrices à partir des zones modifiées (71-719), il ne se produit pas de fracture distordue dans la zone à une profondeur de 335-525 µm et la génération de particules est supprimée.
(JA)  シリコンウェハを切断して得られるチップの切断面からパーティクルが発生するのを防止するためのレーザ加工方法を提供する。改質領域7~712を形成する際のレーザ光Lの照射条件は、シリコンウェハ11の表面3からの深さが335μm~525μmの領域でのレーザ光Lの球面収差が補正されるように、改質領域713~719を形成する際のレーザ光Lの照射条件に対して変化させられる。そのため、改質領域7~719を切断の起点としてシリコンウェハ11及び機能素子層16を半導体チップに切断しても、深さが335μm~525μmの領域ではツイストハックルが顕著に現れず、パーティクルが発生し難くなる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)