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1. (WO2007019437) DÉPÔT PAR COUCHES ATOMIQUES DE FILMS CONTENANT DU RUTHÉNIUM UTILISANT DES AGENTS D’ACTIVATION DE SURFACE ET DES COMPLEXES DE RUTHÉNIUM SÉLECTIONNÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/019437    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/030712
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 07.08.2006
CIB :
C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01)
Déposants : E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street, Wilmington, Delaware 19898 (US) (Tous Sauf US).
THOMPSON, Jeffery, Scott [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : THOMPSON, Jeffery, Scott; (US)
Mandataire : DALICKAS, Gail, A.; E.I. du Pont de Nemours and Company, Legal Patent Records Center, 4417 Lancaster Pike, Wilmington, Delaware 19805 (US)
Données relatives à la priorité :
60/706,493 08.08.2005 US
Titre (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION OF RUTHENIUM-CONTAINING FILMS USING SURFACE-ACTIVATING AGENTS AND SELECTED RUTHENIUM COMPLEXES
(FR) DÉPÔT PAR COUCHES ATOMIQUES DE FILMS CONTENANT DU RUTHÉNIUM UTILISANT DES AGENTS D’ACTIVATION DE SURFACE ET DES COMPLEXES DE RUTHÉNIUM SÉLECTIONNÉS
Abrégé : front page image
(EN)This invention is directed to processes for the formation of ruthenium-containing films on surfaces in atomic layer deposition (ALD) processes using surface-activating agents, and to ruthenium complexes that can be used as ruthenium precursors in these processes.
(FR)L’invention concerne des procédés destinés à la formation de films contenant du ruthénium sur des surfaces dans des procédés de dépôt par couches atomiques (ALD) utilisant des agents d’activation de surface, et des complexes de ruthénium qui peuvent être utilisés comme précurseurs de ruthénium dans lesdits procédés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)