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1. (WO2007019168) RESISTANCE A SOURCE VARIABLE POUR MEMOIRE FLASH
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/019168    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/030074
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 02.08.2006
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), G11C 11/34 (2006.01), G11C 5/14 (2006.01)
Déposants : LATTICE SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 5555 NE Moore Ct, Hillsboro, OR 97124 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : FONTANA, Fabiano; (US).
FONG, Steven; (US).
MEHTA, Sunil; (US)
Mandataire : BECKER, Mark; Lattice Semiconductor Corporation, 5555 NE Moore Ct., Hillsboro, OR 97124 (US)
Données relatives à la priorité :
11/196,093 03.08.2005 US
Titre (EN) VARIABLE SOURCE RESISTOR FOR FLASH MEMORY
(FR) RESISTANCE A SOURCE VARIABLE POUR MEMOIRE FLASH
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment of the invention, a flash memory is provided that includes: a plurality of flash memory cells sharing a common drain node and a common source node; and a current source that controls the current into the common source node.
(FR)L'invention concerne, dans un mode de réalisation, une mémoire flash qui comprend: une pluralité de cellules de mémoire flash partageant un noeud de drain commun et un noeud de source commune; et une source de courant qui régule le courant circulant dans le noeud de source commune.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)