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1. (WO2007018944) STRUCTURES D'ELECTRODES DE GRILLE ET PROCEDE DE FABRICATION DESDITES STRUCTURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/018944 N° de la demande internationale : PCT/US2006/027165
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 12.07.2006
CIB :
H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : HUNG, Steven[--/US]; US (UsOnly)
MINER, Gary[US/US]; US (UsOnly)
APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
Inventeurs : HUNG, Steven; US
MINER, Gary; US
Mandataire : SERVILLA, Scott, S.; DIEHL SERVILLA LLC 77 Brant Avenue Suite 110 Clark, NJ 07066, US
Données relatives à la priorité :
11/185,18020.07.2005US
Titre (EN) GATE ELECTRODE STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE
(FR) STRUCTURES D'ELECTRODES DE GRILLE ET PROCEDE DE FABRICATION DESDITES STRUCTURES
Abrégé : front page image
(EN) Gate electrode structures (119, 149) used in field effect transistors (110, 140) and integrated circuits (100) and methods of manufacture are disclosed. Improved work function and threshold modulation are provided by the methods and structures.
(FR) Structures d'électrodes de grille dans des transistors à effet de champ et des circuits intégrés et procédé de fabrication desdites structures. Ce procédé et ces structures permettent d'obtenir une meilleure modulation des fonctions de travail et des seuils.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)