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1. (WO2007018913) REDUCTION DU TEMPS DE PROGRAMMATION DANS DES DISPOSITIFS A PROGRAMMATION ELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/018913    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/026925
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 10.07.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.05.2007    
CIB :
G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US).
CHAN, Johnny [CN/US]; (US) (US Seulement).
TSAI, Jeffrey, Ming-Hung [US/US]; (US) (US Seulement).
WONG, Tin-Wai [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHAN, Johnny; (US).
TSAI, Jeffrey, Ming-Hung; (US).
WONG, Tin-Wai; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; SCHNECK & SCHNECK, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
11/188,612 25.07.2005 US
Titre (EN) REDUCTION OF PROGRAMMING TIME IN ELECTRICALLY PROGRAMMABLE DEVICES
(FR) REDUCTION DU TEMPS DE PROGRAMMATION DANS DES DISPOSITIFS A PROGRAMMATION ELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A flash memory programming process incorporates two charge pumps per byte of bit cells. Placing a data 'one” value in each bit cell erases an entire memory device. Before programming each cell, a prospective data content is scrutinized. If a data 'zero' is to be applied to the bit cell, a charge pump engages to bias the cell and activate a hot electron injection process to affect the programming. If a data 'one' is to be applied to the bit cell, no programming activity is undertaken and the process increments to the next bit cell in the data structure. Therefore, total programming time is reduced proportionally to the number of data 'one' bits to be programmed. Where more than one charge pump is engaged in parallel to a data structure, total programming time is further reduced when two data 'one' values are to be programmed in parallel.
(FR)Un procédé de programmation de mémoire flash intègre deux pompes de charge par multiplet de cellule binaire. Le placement d'une donnée de valeur « un » dans chaque cellule binaire efface un dispositif de mémoire complet. Un contenu de données potentielles est analysé avant la programmation de chaque cellule. Si une donnée « zéro » doit être appliquée à la cellule binaire, une pompe de charge se déclenche pour polariser la cellule et pour activer un procédé d'injection d'électrons chauds pour modifier la programmation. Si une donnée « un » doit être appliquée à la cellule binaire, aucune activité de programmation n'est entreprise et le processus s'incrémente à la cellule binaire suivante dans la structure de données. Ainsi, le temps de programmation total est réduit proportionnellement au nombre de bits de donnée «un » à programmer. Lorsque plus d'une pompe de charge est enclenchée en parallèle dans une structure de données, le temps de programmation total est encore réduit quand deux données de valeur « un » sont programmées en parallèle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)