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1. (WO2007018567) RECUIT LASER À FLUX THERMIQUE DESTINÉ À L’IMPLANTATION IONIQUE DE JONCTIONS PN DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/018567 N° de la demande internationale : PCT/US2005/036795
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 12.10.2005
CIB :
G02B 27/09 (2006.01) ,B23K 26/073 (2006.01) ,B23K 26/06 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/04 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
27
Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques
09
Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
02
Mise en place ou surveillance des pièces, p.ex. par rapport au point d'impact; Alignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
06
Détermination de la configuration du faisceau, p.ex. à l'aide de masques, ou de foyers multiples
073
Détermination de la configuration du spot laser
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
02
Mise en place ou surveillance des pièces, p.ex. par rapport au point d'impact; Alignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
06
Détermination de la configuration du faisceau, p.ex. à l'aide de masques, ou de foyers multiples
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
40
Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 2881 Scott Boulevard, M/S 2061 Santa Clara, CA 95050, US
Inventeurs : ADAMS, Bruce, E.; US
JENNINGS, Dean; US
MAYUR, Abhilash, J.; US
PARHIHAR, Vijay; US
RANISH, Joseph, M.; US
Mandataire : APPLIED MATERIALS, INC.; Patent Counsel, M/S 2061 Legal Affairs Dept. P.O.Box 450A Santa Clara, CA 95052, US
Données relatives à la priorité :
11/185,65120.07.2005US
Titre (EN) THERMAL FLUX LASER ANNEALING FOR ION IMPLANTATION OF SEMICONDUCTOR P-N JUNCTIONS
(FR) RECUIT LASER À FLUX THERMIQUE DESTINÉ À L’IMPLANTATION IONIQUE DE JONCTIONS PN DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A method for forming P-N junctions in a semiconductor wafer includes ion implanting dopant impurities into the wafer and annealing the wafer using a thermal flux laser annealing apparatus that includes an array of semiconductor laser emitters arranged in plural parallel rows extending along a slow axis, plural respective cylindrical lenses overlying respective ones of the rows of laser emitters for collimating light from the respective rows along a fast axis generally perpendicular to the slow axis, a homogenizing light pipe having an input face at a first end for receiving light from the plural cylindrical lenses and an output face at an opposite end, the light pipe comprising a pair of reflective walls extending between the input and output faces and separated from one another along the direction of the slow axis, and scanning apparatus for scanning light emitted from the homogenizing light pipe across the wafer in a scanning direction parallel to the fast axis.
(FR) La présente invention concerne un procédé permettant de former des jonctions PN dans une tranche de semi-conducteur. Ledit procédé consiste à implanter ioniquement des impuretés dopantes dans la tranche et à recuire la tranche à l’aide d’un appareil de recuit laser à flux thermique qui comprend : un ensemble d’émetteurs de diode laser agencés sur plusieurs rangées parallèles s’étendant le long d’un axe lent ; plusieurs lentilles cylindriques correspondantes recouvrant celles se trouvant sur les rangées des émetteurs laser afin de collimater la lumière à partir des rangées correspondantes le long de l’axe rapide qui est généralement perpendiculaire à l’axe lent ; un conduit de lumière homogénéisant doté d’une face d’entrée située à une première extrémité afin de recevoir la lumière provenant des nombreuses lentilles cylindriques et une face de sortie située à l’extrémité opposée, le conduit de lumière comprenant une paire de parois réfléchissantes s’étendant entre les faces d’entée et de sortie et séparées l’une de l’autre le long de la direction de l’axe lent ; et un appareil de balayage servant à balayer la lumière émise par le conduit de lumière homogénéisant sur toute la tranche dans une direction de balayage parallèle à l’axe rapide.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)