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1. (WO2007018216) CRISTAL DE ZnO, PROCÉDÉ DE CROISSANCE DU CRISTAL, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/018216    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/315675
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 08.08.2006
CIB :
C30B 23/08 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C30B 29/16 (2006.01)
Déposants : STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636 (JP) (Tous Sauf US).
KATO, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SANO, Michihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KATO, Hiroyuki; (JP).
SANO, Michihiro; (JP)
Mandataire : TAKAHASHI, Keishiro; TAKAHASHI & KITAYAMA 4th Fl., Okachimachi Tohsei Bldg. 3-12-1, Taito Taito-ku, Tokyo 110-0016 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-230730 09.08.2005 JP
2005-230731 09.08.2005 JP
Titre (EN) ZnO CRYSTAL, METHOD FOR GROWING THE CRYSTAL, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) CRISTAL DE ZnO, PROCÉDÉ DE CROISSANCE DU CRISTAL, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE
(JA) ZnO結晶とその成長方法、及び発光素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for growing a ZnO crystal comprising the steps of (a) providing a substrate having such a surface that allows a ZnO crystal to grow thereon, the ZnO crystal having a Zn polar face exposed thereon, (b) feeding Zn and O to the upper side of the surface of the substrate in such a manner that the Zn-rich period and the O-rich period are repeated in an alternating manner, and (c) feeding a conductivity-determining impurity to the upper side of the surface of the substrate during feeding Zn and O in the step (b).
(FR)Procédé de croissance d’un cristal de ZnO comprenant les étapes de (a) mise en place d’un substrat comportant une surface telle qu’elle permette la croissance d’un cristal de ZnO, le cristal de ZnO présentant une face de Zn polaire sur cette surface, (b) introduction de Zn et de O sur le côté supérieur de la surface du substrat de telle manière que la période riche en Zn et la période riche en O soient répétées de façon alternée, et (c) introduction d’une impureté déterminant la conductivité du côté supérieur de la surface du substrat pendant l’introduction de Zn et de O dans l’étape (b).
(JA) ZnO結晶の成長方法は、(a)Zn極性面が露出したZnO結晶を成長させることができる表面を有する基板を準備する工程と、(b)Znリッチ条件となる期間とOリッチ条件となる期間とが交互に繰り返されるように、前記基板の表面上方にZn及びOを供給する工程と、(c)前記工程(b)においてZn及びOが供給されている期間中に、前記基板の表面上方に、導電型決定不純物を供給する工程とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)